[发明专利]欠压保护电路在审

专利信息
申请号: 202011293210.6 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112436482A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 吕凤龙;张正兴;张跃增 申请(专利权)人: 潍柴动力股份有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;刘芳
地址: 261061 山东省潍坊*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 保护 电路
【说明书】:

本申请实施例提供一种欠压保护电路,该电路包括:电源、控制电路、开关电路、负载;控制电路分别与开关电路和电源连接,控制电路用于控制开关电路的导通或者关断;负载分别与开关电路和电源连接,开关电路用于控制负载的通电或者断电;其中,当电源电压大于等于预设电压时,控制电路导通,开关电路导通,负载通电;当电源电压小于预设电压时,控制电路关断,开关电路关断,负载断电。通过控制电路对开关电路进行控制,并且开关电路对负载进行控制,以实现在电源电压小于预设电压的时候,有效实现了对负载的欠压保护。

技术领域

本申请实施例涉及自动控制技术,尤其涉及一种欠压保护电路。

背景技术

在负载工作的时候,负载通常需要连接电源,其中电源可以为负载供电,以使得负载可以进行工作。

其中,供电的电源例如可以为直流电源,在直流电源进行供电的场景中,当直流电源的电压正常或者较高的时候,负载可以进行正常工作,然而当直流电源的电压较低的时候,负载会处于非正常工作状态,其中,当负载处于非正常工作状态时,会导致负载受到损害。

发明内容

本申请实施例提供一种欠压保护电路,以克服欠压时负载处于非正常工作状态,导致的负载受到损害的问题。

第一方面,本申请实施例提供一种欠压保护电路,包括:电源、控制电路、开关电路、负载;

所述控制电路分别与所述开关电路和所述电源连接,所述控制电路用于控制所述开关电路的导通或者关断;

所述负载分别与所述开关电路和所述电源连接,所述开关电路用于控制所述负载的通电或者断电;

其中,当所述电源电压大于等于预设电压时,所述控制电路导通,所述开关电路导通,所述负载通电;

当所述电源电压小于预设电压时,所述控制电路关断,所述开关电路关断,所述负载断电。

在一种可能的设计中,所述控制电路包括稳压二极管、分压电路、三极管。

在一种可能的设计中,所述分压电路包括第一电阻和第二电阻;

其中,所述稳压二极管的负极与所述电源的正极连接,所述稳压二极管的正极与所述第一电阻的一端连接;

所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端连接;

所述第二电阻的另一端与所述电源的负极连接;

其中,所述三极管的基极与所述第二电阻的一端连接,所述三极管的发射极与所述电源的负极连接,所述三极管的集电极与金属氧化物半导体场效应晶体MOS管的栅极连接。

在一种可能的设计中,所述第二电阻与第一电容并联,其中,所述第一电容用于对所述第二电阻进行稳压。

在一种可能的设计中,所述开关电路包括所述MOS管;

其中,所述MOS管的漏极与所述负载连接,所述MOS管的源极与所述电源的正极连接,所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极连接。

在一种可能的设计中,所述MOS管的栅极和源极还分别与保护电路的两端连接。

在一种可能的设计中,所述保护电路包括双向稳压二极管、第三电阻;

其中,所述双向稳压二极管的一端与所述MOS管的源极连接,所述双向稳压二极管的另一端与所述MOS管的栅极连接;

所述第三电阻的一端与所述MOS管的源极连接,所述第三电阻的另一端与所述MOS管的栅极连接。

在一种可能的设计中,所述三极管的集电极通过第四电阻与所述MOS管的栅极连接。

在一种可能的设计中,所述三极管的基极通过第五电阻与所述第二电阻的一端连接。

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