[发明专利]背照式图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011294632.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112331683A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 黄文军;陈世杰;唐昭焕;张斌 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人： | 李英杰 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括衬底，还包括从所述衬底减薄后的背面起依次层叠的缓冲层、高介电常数层和金属氧化物层，其中，所述缓冲层的材料包括硅氧化物，所述高介电常数层的材料的介电常数大于硅氧化物的介电常数，所述金属氧化物层的材料能透光而且吉布斯自由能高于硅氧化物的吉布斯自由能。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述缓冲层的厚度介于1nm-5nm之间。
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述高介电常数层的材料包括氧化铝和氧化铪中至少一种材料。
4.根据权利要求1或3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述高介电常数层的厚度介于5nm-50nm之间。
5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述金属氧化物层的材料包括氧化钽、氧化铟、以及氧化锡中至少一种材料。
6.根据权利要求1或5所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度介于5nm-50nm之间。
7.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述衬底的材料包括硅。
8.根据权利要求1或7所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括在所述衬底内分隔排布的各个光感测区域，所述光感测区域包括光电二极管。
9.根据权利要求1或7所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述衬底减薄后的厚度介于2μm-10μm之间。
10.一种背照式图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底减薄之后的背面生长缓冲层，接着生长高介电常数层，然后在所述高介电常数层上生长金属氧化物层，再进行氮氢混合气氛退火，
其中，所述缓冲层的材料包括硅氧化物，所述高介电常数层的材料的介电常数大于硅氧化物的介电常数，所述金属氧化物层的材料能透光而且吉布斯自由能高于硅氧化物的吉布斯自由能。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
