[发明专利]射频装置及半导体设备

说明书

本发明公开一种射频装置及半导体设备，射频装置应用于半导体设备，所述射频装置包括射频线圈和驱动件，所述射频线圈包括柔性连接件和多个子线圈段，所述柔性连接件为导电材质，相邻的所述子线圈段通过所述柔性连接件连接成所述射频线圈，所述射频线圈用于与射频电源电性连接；多个所述子线圈段中的至少一者与所述驱动件连接，所述驱动件用于驱动对应连接的所述子线圈段升降。上述技术方案可以解决目前反应腔室内的等离子体分布不均匀，导致晶圆的刻蚀均匀性较差问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种射频装置及半导体设备。

背景技术

通常地，刻蚀工艺是半导体加工过程中的一个必需过程，感应耦合等离子体刻蚀是目前主要的刻蚀方法，其借助通电线圈激发工艺气体产生等离子体，以借助等离子体对晶圆等半导体进行刻蚀工作，等离子分布的均匀性或直接影响晶圆的刻蚀均匀性。在刻蚀过程中，半导体通常放置在反应腔室中，由于反应腔室内的等离子体分布不均匀，导致晶圆的刻蚀均匀性较差。

发明内容

本发明公开一种射频装置及半导体设备，以解决目前反应腔室内的等离子体分布不均匀，导致晶圆的刻蚀均匀性较差问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明公开一种射频装置，应用于半导体设备，所述射频装置包括：

射频线圈，所述射频线圈包括柔性连接件和多个子线圈段，所述柔性连接件为导电材质，相邻的所述子线圈段通过所述柔性连接件连接成所述射频线圈，所述射频线圈用于与射频电源电性连接；

驱动件，多个所述子线圈段中的至少一者与所述驱动件连接，所述驱动件用于驱动对应连接的所述子线圈段升降。

第二方面，本发明公开一种半导体设备，包括介质窗、反应腔室、射频电源和匹配器，所述射频电源与所述匹配器电连接，所述反应腔室和所述介质窗连接，所述半导体设备还包括：

上述射频装置，所述射频装置安装于所述介质窗背离所述反应腔室的一侧，所述射频装置通过所述匹配器与所述射频电源电连接。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开一种射频装置，其射频线圈包括柔性连接件和多个子线圈段，相邻的子线圈段通过柔性连接件连接，这使得同一射频线圈中的不同子线圈段能够相对运动。在驱动件的作用下，可以使与驱动件连接的子线圈段产生升降动作。也就是说，与驱动件连接的子线圈段能够向靠近介质窗或远离介质窗的方向运动，这使得同一射频线圈中的不同子线圈段与介质窗之间的间距可以不同。由于射频线圈与介质窗可以等效为平行板电容器，在射频线圈中各部分与介质窗之间的间距不同的情况下，前述各部分的电容值也不同，而射频线圈的耦合效率与电容的容值相关，在电容的容值发生变化的情况下，反应腔室与射频线圈中各部分分别对应的区域内的等离子的密度也会发生变化。在采用上述射频装置激发工艺气体的过程中，可以根据反应腔室内的等离子体的实际分布情况，借助驱动件调整至少一个子线圈段与介质窗之间的间距，从而改变反应腔室内与该子线圈段对应的区域内的等离子体密度，使整个反应腔室内任意位置处的等离子体的密度均基本相同，提升反应腔室内的等离子体的分布均匀程度，提升晶圆的刻蚀均匀性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为一种现有的射频装置的装配示意图；

图2为本发明实施例公开的射频装置的装配示意图；

图3为本发明实施例公开的射频装置中子线圈段的装配结构示意图；

图4为本发明实施例公开的射频装置中射频线圈的部分结构的示意图；