[发明专利]针对基于PMOS的开关的过电压保护电路

说明书

本公开的实施例涉及针对基于PMOS的开关的过电压保护电路。集成电路包括过电压保护电路。过电压保护电路检测集成电路焊盘处的过电压事件。过电压保护电路生成最大电压信号，该最大电压信号是焊盘处电压、以及集成电路的供应电压中的较大项。当过电压事件存在于焊盘上时，过电压保护电路通过向PMOS晶体管的栅极供应最大电压信号，禁用被耦合到焊盘的PMOS晶体管。

技术领域

本公开涉及集成电路的领域。本公开更具体地涉及针对集成电路的过电压保护。

背景技术

集成电路包括晶体管。晶体管可以具有非常小的特征，该非常小的特征如果承受高电压，则很容易损坏。附加地，集成电路通常包括焊盘或端子。在一些情况下，静电电荷能够在焊盘或端子处积累，从而导致在焊盘或端子处的静电放电或其他类型的过电压事件。如果集成电路内的晶体管接收静电放电，或者以其他方式承受来自焊盘或端子的高电压，晶体管可能将损坏。

发明内容

一个实施例是集成电路，该集成电路包括焊盘、被耦合到焊盘的PMOS晶体管、以及最大电压生成器，该最大电压生成器被配置为生成最大电压，该最大电压是焊盘上的焊盘电压、以及集成电路的供应电压中的较大项。该集成电路包括栅极关断电路，该栅极关断电路被配置为响应焊盘上的过电压事件，通过向PMOS晶体管的栅极端子供应最大电压信号，禁用PMOS晶体管，该PMOS晶体管被耦合到焊盘。

一个实施例是一种方法，该方法包括：生成触发信号，该触发信号指示集成电路的焊盘处的过电压事件，以及生成最大电压信号，该最大电压信号对应于焊盘电压和供应电压中的较大项。该方法包括：响应触发信号，通过向PMOS晶体管的栅极端子提供最大电压信号，禁用PMOS晶体管，该PMOS晶体管被耦合到焊盘。

一个实施例是一种方法，该方法包括：接收集成电路的焊盘处的焊盘电压，以及如果焊盘电压高于集成电路的供应电压，生成最大电压信号，该最大电压信号是焊盘电压。该方法包括：如果焊盘电压高于供应电压，向第一PMOS晶体管的栅极端子供应最大电压信号，第一PMOS晶体管被耦合到焊盘。

附图说明

图1是根据一个实施例的集成电路的框图。

图2是根据一个实施例的过电压检测电路的示意图。

图3是根据一个实施例的最大电压生成器的示意图。

图4是根据一个实施例的栅极关断电路的示意图。

图5是根据一个实施例的模拟开关电路的示意图。

图6是根据一个实施例的I/O驱动器的示意图。

图7是根据一个实施例的用于保护集成电路的过程的流程图。

图8是根据一个实施例的用于保护集成电路的过程的流程图。

具体实施方式

图1是根据一个实施例的集成电路的框图。集成电路100包括I/O焊盘102、模拟开关电路104、核心106、I/O驱动器108、预驱动器块110、以及过电压保护电路112。

I/O焊盘102是集成电路100的端子。I/O焊盘102从集成电路100外部的设备接收数据和其他信号。I/O焊盘还向集成电路100外部的设备提供数据和其他信号。

I/O焊盘102可以经由引线接合连接到引线框的引脚。数据可以经由引脚被提供给集成电路100，并且可以经由引脚从集成电路100接收。在不背离本公开的范围的情况下，其他类型的连接可以用于支持外部设备与I/O焊盘102通信。

核心106处理经由I/O焊盘102接收的数据。核心106可以包括处理电路装置。核心106可以包括将数据写入到存储器的电路装置、以及从存储器读取数据的电路装置。核心106可以包括执行软件指令的电路装置。