[发明专利]半导体结构及其形成方法、对准方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、对准方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括器件区域和位于所述器件区域外围的外围区域；对准标记，位于所述衬底上的外围区域，所述对准标记包括闪耀光栅结构，用于在刻蚀所述器件区域的过程中对准所述器件区域的位置。本发明能够有效的提高对准精度，改善后续的光刻质量，提高半导体产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、对准方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将存储单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

在3D NAND存储器等三维存储器的制造工艺中，光刻是至关重要的步骤。在当前的光刻制程中，需要先进行扫描，判断待刻蚀的晶圆的位置是否对准。但是，当前的对准方法精确度较差，从而影响后续光刻工艺的实施。

因此，如何提高在光刻过程中晶圆对准的精确度，从而改善光刻质量，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及其形成方法、对准方法，用于解决现有的光刻工艺无法对晶圆精确对准的问题，以改善光刻质量。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底包括器件区域和位于所述器件区域外围的外围区域；

对准标记，位于所述衬底上的外围区域，所述对准标记包括闪耀光栅结构，用于在刻蚀所述器件区域的过程中对准所述器件区域的位置。

可选的，所述闪耀光栅结构包括：

光栅面，位于所述衬底表面；

多个刻槽，多个所述刻槽沿平行于所述衬底的方向呈锯齿状分布于所述光栅面上，每一所述刻槽的刻槽面相对于所述光栅面倾斜设置。

可选的，所述闪耀光栅结构包括：

光栅面，位于所述衬底表面；

多个阶梯，多个所述阶梯沿平行于所述衬底的方向分布于所述光栅面上，每个所述阶梯包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的多层台阶。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，其包括如下步骤：

提供一衬底，于所述衬底表面定义器件区域和位于所述器件区域外围的外围区域；

形成包括闪耀光栅结构的对准标记于所述衬底上的外围区域，所述对准标记用于在刻蚀所述器件区域的过程中对准所述器件区域的位置。

可选的，形成包括闪耀光栅结构的对准标记于所述衬底上的外围区域的具体步骤包括：

根据对准光的波长和所需闪耀的光谱级数形成包括闪耀光栅结构的对准标记于所述衬底表面。

可选的，所述闪耀光栅结构包括位于所述衬底表面的光栅面以及位于所述光栅面上且沿平行于所述衬底的方向呈锯齿状分布的多个刻槽，每一所述刻槽的刻槽面相对于所述光栅面倾斜预设角度；根据对准光的波长和所需闪耀的光谱级数形成包括闪耀光栅结构的对准标记于所述衬底上的外围区域的具体步骤包括：