[发明专利]形成平坦化层的方法以及使用其的图案形成方法

权利要求书

1.一种形成平坦化层的方法，所述方法包括：

设置包括沟槽的衬底；

在所述沟槽的表面之上涂覆预减薄物；

在所述沟槽中形成间隙填充材料；

在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物；以及

执行旋压工艺以旋转所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述沟槽中形成间隙填充材料的步骤是通过旋涂来执行的。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物之后，执行烘烤工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充材料包括含碳材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述含碳材料包括旋涂碳或光致抗蚀剂。

6.一种形成图案的方法，所述方法包括：

在刻蚀目标材料之上形成第一线；

在所述第一线之间形成间隙填充材料，所述间隙填充材料的上表面位于比至少所述第一线的上表面高的水平处；

通过刻蚀所述间隙填充材料，沿与所述第一线交叉的方向形成第二线；

在所述第二线之间间隙填充硬掩模，所述硬掩模的上表面位于与至少所述第一线相同的水平处；

刻蚀所述第二线和由所述硬掩模暴露出的所述第一线；

去除所述第二线；以及

通过利用所述第一线和所述硬掩模来刻蚀所述刻蚀目标材料，形成彼此分离的多个岛状开口，

其中，在所述形成间隙填充材料的步骤之前和之后形成减薄物涂层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述在所述第一线之间形成间隙填充材料的步骤包括：

在所述第一线之上涂覆预减薄物；

在所述预减薄物之上形成间隙填充材料；

在所述间隙填充材料之上涂覆后减薄物；

执行旋压工艺以旋转衬底；以及

执行烘烤工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述第一线之间形成间隙填充材料的步骤是通过旋涂来执行的。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述间隙填充材料包括含碳材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述含碳材料包括旋涂碳或光致抗蚀剂。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一线和所述第二线彼此垂直交叉。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二线和所述硬掩模形成具有网格结构的刻蚀掩模。

13.根据权利要求6所述的方法，其中，所述在刻蚀目标材料之上形成第一线的步骤包括：

在所述刻蚀目标材料之上形成氧化硅；

在所述氧化硅之上形成掩模材料；

在所述掩模材料之上形成线型光致抗蚀剂图案；

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述掩模材料；以及

通过使用所述掩模材料作为刻蚀掩模来刻蚀所述硬掩模材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述氧化硅包括未掺杂的硅酸盐玻璃。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述掩模材料包括旋涂碳和氮氧化硅的叠层结构。

16.根据权利要求6所述的方法，其中，所述硬掩模包括多晶硅。