[发明专利]压电式微机电系统麦克风及其制造方法有效
申请号: | 202011296014.4 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112565949B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 金文超;孙福河;李佳;闻永祥 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
主分类号: | H04R1/08 | 分类号: | H04R1/08;H04R9/08;H04R31/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 式微 机电 系统 麦克风 及其 制造 方法 | ||
1.一种压电式微机电系统麦克风,其中,包括:
衬底,所述衬底中设有背腔,所述背腔贯穿所述衬底;
支撑氧化层,位于所述衬底上,所述支撑氧化层围成空腔;
背极板和振膜,所述背极板和所述振膜的边缘由所述支撑氧化层支撑,所述背极板包括多个声孔,所述多个声孔、所述空腔和所述背腔连通,所述振膜包括第一部分振膜和第二部分振膜,所述第一部分振膜位于所述空腔中,所述第二部分振膜位于所述支撑氧化层中;
压电结构,包括多个一维压电纳米结构,所述一维压电纳米结构的第一端与所述背极板电连接,第二端与所述第一部分振膜电连接;
其中,位于所述空腔的所述背极板、所述第一部分振膜和所述一维压电纳米结构形成声压信号采集结构。
2.根据权利要求1所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述压电结构为所述多个一维压电纳米结构。
3.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述多个一维压电纳米结构在声压信号作用下产生电势差。
4.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述背极板位于所述振膜的上方。
5.根据权利要求4所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述压电式微机电系统麦克风还包括:
第一电极,位于所述支撑氧化层上,通过所述支撑氧化层的第一开口与所述第二部分振膜电连接;
第二电极,位于所述背极板上,与所述背极板电连接。
6.根据权利要求5所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述压电式微机电系统麦克风还包括:
钝化层,位于所述背极板和所述支撑氧化层上,所述钝化层包括多个第二开口,所述第二开口与所述声孔对应设置,所述钝化层暴露出所述第一电极和所述第二电极。
7.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述振膜位于所述背极板的上方。
8.根据权利要求7所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述压电式微机电系统麦克风还包括:
第一电极,位于所述第二部分振膜上,与所述第二部分振膜电连接;
第二电极,位于所述支撑氧化层上,通过所述支撑氧化层的第一开口与所述背极板电连接。
9.根据权利要求8所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述压电式微机电系统麦克风还包括:
钝化层,位于所述支撑氧化层上,覆盖所述第二部分振膜和所述支撑氧化层的裸露表面,暴露出所述第一部分振膜、所述第一电极和所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述钝化层还覆盖所述支撑氧化层的部分侧壁。
11.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述第一部分振膜的尺寸小于所述空腔的尺寸。
12.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述第一部分振膜的尺寸小于所述背腔的尺寸。
13.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述多个一维压电纳米结构分布在所述第一部分振膜的中心位置。
14.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述多个一维压电纳米结构分布在所述第一部分振膜的外围周边。
15.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述多个一维压电纳米结构分布在整个所述第一部分振膜。
16.根据权利要求1或2所述的压电式微机电系统麦克风,其中,所述一维压电纳米结构的第一端嵌入所述背极板,第二端嵌入所述第一部分振膜。
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