[发明专利]一种光伏电池及光伏组件在审
申请号: | 202011296656.4 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112466968A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 组件 | ||
本发明中,光伏电池的电池主体的至少一个表面包含第一区域和第二区域,第一区域设置为绒面结构,由金字塔和/或倒金字塔结构组成的绒面结构可以减少小角度入射光被反射出光伏电池的几率;第二区域设置为多个在电池主体表面上的投影尺寸为0.5至100微米的凹坑,多个微米级的凹坑可以减少大角度入射光被反射出光伏电池的几率,大角度入射光在微米级的凹坑中经过多次反射,可以提高光伏电池对入射光的吸收效果,同时,相对于纳米级的陷光结构,微米级的凹坑的结构尺寸较大,具有微米级的凹坑的光伏电池表面积较小,因此,可以有效的在光伏电池的表面生成均匀的钝化层,同时降低非平衡载流子在光伏电池表面的复合率,进而提高光伏电池的光电转换效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种光伏电池、制备方法及光伏组件。
背景技术
随着传统能源的不断消耗及其对环境带来的负面影响,太阳能作为一种无污染、可再生能源,其开发和利用得到了迅速的发展,尤其是具有较高转化效率的光伏电池成为了目前研究的重点。
目前,可以通过制绒工艺在光伏电池表面制备金字塔和/或倒金字塔状的绒面结构,以减少光伏电池表面对于太阳光的反射,使得光伏电池能够吸收更多的太阳光进行光电转化,从而提高光伏电池的转化效率,这种结构对于直射光或入射角较小的光线具有较好的减反射效果,但对于入射角较大的光线,经过光伏电池表面的金字塔和/或倒金字塔状的绒面结构,会有很大一部分的光线从光伏电池表面反射回空气中,不参与光伏电池的光电转化。现有技术中可以通过黑硅工艺,在光伏电池表面制备纳米级的陷光结构,该纳米级的陷光结构对大角度入射光有较好的陷光效果,从而提升光伏电池的光电转换率。
但是,在目前的方案中,由于纳米级的陷光结构极大地增加了光伏电池中单晶硅的表面积,且在纳米结构上较难生成均匀的钝化层,导致非平衡载流子在表面的复合率升高,从而会降低光伏电池的光电转换效率。
发明内容
本发明提供一种光伏电池及光伏组件,旨在提升光伏电池的转化效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种光伏电池,所述光伏电池包括:
电池主体;
所述电池主体的至少一个表面包含第一区域、第二区域;
所述第一区域设置为绒面结构;
所述第二区域设置为多个凹坑;
所述凹坑在所述电池主体的表面上的投影尺寸为0.5至100微米;
所述凹坑的侧壁与所述电池主体的厚度方向的偏离角度小于15度。
可选的,所述凹坑在所述电池主体的表面上的投影尺寸为1至20微米。
可选的,所述多个凹坑在所述电池主体的表面呈阵列分布;
相邻所述凹坑之间的间隔为2至200微米。
可选的,所述凹坑在所述电池主体的表面上的投影面积与所述电池主体的表面积的比值为0.4至0.85。
可选的,所述凹坑的深度大于或等于0.1微米。
可选的,所述凹坑包括:圆孔、矩形孔或不规则形状中的任意一种或多种。
可选的,所述电池主体包括第一电极;
其中,所述第一电极至少部分设置在所述绒面结构上。
可选的,所述光伏电池还包括:钝化层;
所述钝化层设置在所述绒面结构和所述凹坑的底面和侧壁上。
可选的,所述第一电极包括第一主栅和第一细栅,所述第一主栅设置在所述绒面结构和/或所述凹坑上,所述第一细栅设置在所述绒面结构上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆基绿能科技股份有限公司,未经隆基绿能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011296656.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的