[发明专利]测定系统

说明书

提供一种测定系统，能够抑制形成于半导体基板的光半导体元件的测定时间增大。测定系统具备：配置m个光探针群(111～11m)而形成的光探针阵列，m个光探针群各自具有n根光探针(101～10n)；m个光信号选择器(211～21m)，m个光信号选择器各自与m个光探针群中的任一个光探针群以1对1的方式对应，从由对应的探针群的光探针分别输出的光信号中选择一个光信号来输出；以及控制电路，其控制光信号选择器。测定系统通过控制电路的控制，重复切换光信号选择器对光信号的选择，直到选择了从m个光探针群中包含的全部的光探针输出的光信号为止。

技术领域

本发明涉及一种用于测定光半导体元件的特性的测定系统。

背景技术

使用硅光子学技术，来在半导体基板上形成将电信号和光信号作为输入输出信号的光半导体元件。为了测定形成于半导体基板的光半导体元件的特性，使用具有传输电信号的电探针和传输光信号的光探针的测定系统并将光半导体元件与测试器等测定装置连接是有效的。

例如，使用由导电性材料构成的电探针以及由光纤、与光纤组合的透镜等构成的光探针进行的测定被用于对光半导体元件的测定。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭62-31136号公报

专利文献2：日本特开昭60-64443号公报

发明内容

发明要解决的问题

例如，通过电探针输入电信号来驱动光半导体元件并且通过光探针接受从被驱动的光半导体元件输出的光信号的测定方法用于测定形成于半导体基板的光半导体元件的特性。在该测定方法中，使用电探针、光探针的根数与一个光半导体元件的量对应的测定系统。但是，利用该测定系统对形成于半导体基板的数千个至数万个的光半导体元件的全部光半导体元件逐个地进行测定，其总的测定时间长，因此是困难的。无法测定形成于半导体基板的全部的光半导体元件的结果是，无法充分进行良品和不良品的判定，制品的成品率降低。

鉴于上述问题点，本发明的目的在于提供一种能够抑制形成于半导体基板的光半导体元件的测定时间增大的测定系统。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种测定系统，具备：配置m个光探针群而形成的光探针阵列，所述m个光探针群各自具有n根光探针，n、m为2以上的整数；m个光信号选择器，所述m个光信号选择器各自与光探针群中的任一个光探针群以1对1的方式对应，从由对应的光探针群的n根光探针分别输出的光信号中选择一个光信号来输出；以及控制电路，其控制光信号选择器。测定系统通过控制电路的控制，重复切换光信号选择器对光信号的选择，直到选择了从光探针群中包含的全部的光探针输出的光信号为止。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制形成于半导体基板的光半导体元件的测定时间增大的测定系统。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的测定系统的结构的示意图。

图2是示出测定对象物的结构例的示意性的俯视图。

图3是示出第一实施方式所涉及的测定系统的光探针与电探针的相对位置关系的例子的示意性的俯视图。

图4是示出使用第一实施方式所涉及的测定系统对测定对象物进行测定的测定方法的示意图。

图5是示出第一实施方式所涉及的测定系统的光探针阵列的结构例的示意性的俯视图。