[发明专利]硅控整流电路及方法

权利要求书

1.一种硅控整流电路，其特征在于，所述硅控整流电路包括：整流模块、控制模块以及驱动模块，所述控制模块分别与所述整流模块和所述驱动模块连接，所述整流模块和所述控制模块均与电网输入端连接，所述整流模块包括至少一个硅控整流管，各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块连接，各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接，各个所述硅控整流管的第三端与母线连接，其中，

所述控制模块，用于采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号；

所述驱动模块，用于接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块的硅控整流管；

所述控制模块包括处理单元和调理单元；其中，

所述调理单元，用于对所述电网输入端输入的电网电压进行调理，并将调理后的电压信号发送至所述处理单元；

在上电缓启时，所述处理单元，用于根据接收到的调理后的电压信号生成包含移相信号的驱动信号，并发送至所述驱动模块。

2.如权利要求1所述的硅控整流电路，其特征在于，所述控制模块，用于采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与所述母线之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与所述母线之间的电压生成驱动信号。

3.如权利要求1所述的硅控整流电路，其特征在于，所述控制模块和所述驱动模块的接地端与所述母线连接。

4.如权利要求1所述的硅控整流电路，其特征在于，各个所述硅控整流管的第一端为控制端，各个所述硅控整流管的第二端为阳极，各个所述硅控整流管的第三端为阴极。

5.如权利要求1所述的硅控整流电路，其特征在于，所述整流模块包括硅控整流桥电路，所述硅控整流桥电路与电网输入端连接；其中，

所述硅控整流桥电路，用于接收所述电网输入端输入的三相交流电，并对所述三相交流电进行整流，以输出直流电；

所述硅控整流桥电路，还用于接收所述驱动模块的驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述直流电输出。

6.如权利要求5所述的硅控整流电路，其特征在于，所述硅控整流桥电路包括第一整流桥、第二整流桥以及第三整流桥；其中，

所述第一整流桥与所述三相交流电源的第一相连接，所述第一整流桥与所述第二整流桥连接，所述第二整流桥与所述三相交流电源的第二相连接，所述第二整流桥与所述第三整流桥连接，所述第三整流桥与所述三相交流电源的第三相连接，所述第三整流桥与所述驱动模块连接。

7.如权利要求6所述的硅控整流电路，其特征在于，所述第一整流桥包括第一可控硅以及第一二极管，所述第二整流桥包括第二可控硅以及第二二极管，所述第三整流桥包括第三可控硅以及第三二极管；其中，

所述第一可控硅的阳极与所述第一二极管的阴极连接，所述第一可控硅的阳极与所述三相交流电源的第一相连接，所述第一可控硅的阴极与所述第二整流桥连接，所述第一二极管的阳极与所述第二整流桥连接；

所述第二可控硅的阳极与所述第二二极管的阴极连接，所述第二可控硅的阳极与所述三相交流电源的第二相连接，所述第二可控硅的阴极与所述第三整流桥连接，所述第二二极管的阳极与所述第三整流桥连接；

所述第三可控硅的阳极与所述第三二极管的阴极连接，所述第三可控硅的阳极与所述三相交流电源的第三相连接，所述第三可控硅的阴极与直流总线电路连接，所述第三二极管的阳极与所述直流总线电路连接。

8.如权利要求1～7任一项所述的硅控整流电路，其特征在于，所述驱动模块为推挽三极管电路、推挽MOS管电路以及恒流源电路中的任意一种。

9.一种基于如权利要求1～8任一项所述的硅控整流电路的硅控整流方法，其特征在于，所述硅控整流电路包括：整流模块、控制模块以及驱动模块，所述控制模块包括处理单元和调理单元，所述硅控整流方法包括以下步骤：

所述控制模块采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压，并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号；

所述驱动模块接收所述驱动信号，并根据所述驱动信号控制所述整流模块的硅控整流管；

其中，所述根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号的步骤包括：对所述电网输入端输入的电网电压进行调理，获得将调理后的电压信号；

在上电缓启时根据接收到的调理后的电压信号生成包含移相信号的驱动信号。