[发明专利]一种低频低功耗阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 202011297809.7 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112363353A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 董欣;于靖;张东琪;张泽鹏;伍小丰 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 李健威 |
地址: | 620500 四川省眉山*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低频 功耗 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种低频低功耗阵列基板,包括像素区域,所述像素区域包括上下层叠设置的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层,所述第一电极层包括第一电极,所述第二电极层包括第二电极,所述第三电极层包括第三电极;所述第一电极与所述第二电极之间至少部分上下重叠,以使所述第一电极与所述第二电极之间的上下重叠部分形成第一存储电容;所述第二电极与所述第三电极之间至少部分上下重叠,以使所述第二电极与所述第三电极之间的上下重叠部分形成第二存储电容。该低频低功耗阵列基板可在不降低解析度的情况下,提高像素电极的电压维持时间,以保障在低频低功耗工作状态下,所述像素电极仍然具有充足的电压维持时间。本发明还公开了上述低频低功耗阵列基板的制作方法。
技术领域
本发明涉及显示技术,尤其涉及一种低频低功耗阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着面板显示行业的发展,液晶面板的解析度要求越来越高,随之液晶面板的功耗也越来越大。为了在不降低解析度的情况下,降低功耗,常用通过降低液晶面板的刷新频率来达到降低功耗的目的。
在现有技术中,液晶面板的TFT基板上设置有一层公共电极层VCOM,所述公共电极层VCOM中的公共电极会与所述像素电极相绝缘重叠以形成一存储电容,液晶面板就是依靠所述存储电容来使所述像素电极在TFT关断后依然能够维持着显示电压,直至下一次刷新充电。在刷新频率降低之后,为了不影响液晶面板的显示效果则需要提高所述像素电极的电压维持时间,也就是说需要增加所述存储电容的面积以在每次充电时储存更多电荷,但是所述存储电容的面积增大又会挤占所述像素电极的空间,使得像素密度降低,又会导致液晶面板的解析度降低。
如何在不降低液晶面板的解析度的前提下,提高所述存储电容的大小,进而提高所述像素电极的电压维持时间是本发明所要解决的技术问题。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种低频低功耗阵列基板,可在不降低解析度的情况下,提高像素电极的电压维持时间,以保障在低频低功耗工作状态下,所述像素电极仍然具有充足的电压维持时间。
本发明还提供上述低频低功耗阵列基板的制作方法。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种低频低功耗阵列基板,包括像素区域,所述像素区域包括上下层叠设置的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层,所述第一电极层包括第一电极,所述第二电极层包括第二电极,所述第三电极层包括第三电极;所述第一电极与所述第二电极之间至少部分上下重叠,以使所述第一电极与所述第二电极之间的上下重叠部分形成第一存储电容;所述第二电极与所述第三电极之间至少部分上下重叠,以使所述第二电极与所述第三电极之间的上下重叠部分形成第二存储电容。
进一步地,所述第一电极和第三电极为像素电极,所述第二电极为公共电极。
进一步地,还包括开关区域,所述开关区域包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极分别与所述第一电极和第三电极之间电连接。
进一步地,所述第一电极和第三电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
进一步地,还包括开关区域,所述开关区域包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极分别与所述第二电极之间电连接。
一种低频低功耗阵列基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:依次制作栅层、栅绝缘层和有源层,所述栅层包括位于开关区域上的栅极和栅线,所述栅极与所述栅线之间电连接,所述栅绝缘层覆盖于开关区域和像素区域,所述有源层包括位于开关区域的栅绝缘层上的硅岛,所述硅岛与所述栅极之间重叠;
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