[发明专利]新型绝缘栅双极型晶体管及控制电路

权利要求书

1.一种新型绝缘栅双极型晶体管，包括栅结构、n+源区、P型体区、及P+漏注入区，所述新型绝缘栅双极型晶体管还包括覆盖设置于所述n+源区上的发射极、及覆盖设置于所述P+漏注入区上的集电极；

所述新型绝缘栅双极型晶体管还包括靠近所述P型体区设置的N基区，所述栅结构包括覆盖于所述n+源区和P型体区以及N基区上的栅氧；

其特征在于，所述新型绝缘栅双极型晶体管还包括用以将所述P型体区与所述N基区隔离的隔离层，所述隔离层用以将P型体区与N基区隔离，进而将N基区引出作基极控制端；

仅在所述新型绝缘栅双极晶体管关断时，在栅极处加反向驱动电压，在基极加正向驱动电压，从而使N基区与P型体区之间形成反偏，N基区中的空穴被反向电场加速漂移到P型体区，以使得新型绝缘栅双极型晶体管迅速关断。

2.如权利要求1所述新型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述新型绝缘栅双极型晶体管还包括N+缓冲区，所述N+缓冲区用以降低所述新型绝缘栅双极型晶体管的通态压降。

3.如权利要求2所述新型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N+缓冲区设置在所述P+漏注入区和N基区之间。

4.如权利要求1所述新型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述隔离层的材质为绝缘材料。

5.一种控制电路，其特征在于，包括：

控制模块；

受控模块，与所述栅极连接；

驱动模块，与所述控制模块连接；

单向导通模块，与所述基极连接；

及如权利要求1至4中任一项所述的新型绝缘栅双极型晶体管；所述控制模块控制所述驱动模块驱动所述新型绝缘栅双极型晶体管启闭。

6.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元，所述第一驱动单元与所述新型绝缘栅双极型晶体管中的栅极连接；所述第二驱动单元与所述新型绝缘栅双极型晶体管中的基极连接。

7.如权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述驱动模块还包括与所述第二驱动单元连接的反相器，所述反相器用以将所述控制模块的输出信号反相。

8.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述单向导通模块包括二极管，所述二极管用以确保基极控制端仅在器件关断时才起作用。