[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

将基片保持为水平的保持部；

使所述基片与所述保持部一起绕铅垂的旋转轴旋转的基片旋转部；

对由所述保持部保持的所述基片的上表面供给流体的喷嘴；

对所述喷嘴供给所述流体的供给部；和

使所述喷嘴在所述基片的径向上移动的移动部，

所述喷嘴包括：释放所述流体的第一喷嘴部；和在与所述第一喷嘴部不同的方向上释放所述流体的第二喷嘴部，

所述第一喷嘴部的出射线和所述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉，

所述供给部包括：控制所述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于所述第一喷嘴部的释放量的方式控制所述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴部在所述第一喷嘴部的出射线的周围等间隔地配置4个以上。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一喷嘴部包括向正下方的所述交叉点释放所述流体的释放口，

所述第二喷嘴部包括向斜下方的所述交叉点释放所述流体的释放口。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一喷嘴部的释放口的面积为所述第二喷嘴部的释放口的面积以上。

5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述流体是在覆盖了所述基片的整个上表面后从所述基片的中心向周缘使所述基片逐渐露出的干燥液、或者推压所述干燥液的开口边缘的干燥气体。

6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

检测所述基片的上表面的所述流体的碰撞角的检测部；和

控制部，其控制所述第一流量控制器和所述第二流量控制器，使得所述检测部的检测值与设定值的偏差变小。

7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述喷嘴还包括以所述第一喷嘴部的出射线为中心使所述第二喷嘴部旋转的旋转部。

8.一种基片处理方法，其特征在于：

包括在将基片保持为水平并且使所述基片绕铅垂的旋转轴旋转的状态下，使对所述基片的上表面供给流体的喷嘴在所述基片的径向上移动的步骤，

所述喷嘴包括：释放所述流体的第一喷嘴部；和在与所述第一喷嘴部不同的方向上释放所述流体的第二喷嘴部，

所述第一喷嘴部的出射线和所述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉，

所述基片处理方法包括在使所述喷嘴在所述基片的径向上移动的中途，改变所述第一喷嘴部的释放量和所述第二喷嘴部的释放量的至少一者的步骤。

9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一喷嘴部向正下方的所述交叉点释放所述流体，

所述第二喷嘴部向斜下方的所述交叉点释放所述流体。

10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：

包括在使所述喷嘴从所述基片的径向内侧移动到径向外侧的过程中，使第一碰撞角连续或者阶梯地减小的步骤，

其中，所述第一碰撞角是从连结所述基片的上表面的所述流体的碰撞点和所述基片的上表面的中心点的直线方向观察，连结所述交叉点和所述碰撞点的直线与所述基片的上表面所成的角，

所述碰撞点与所述基片的上表面的所述交叉点的正下方的正下点相比越向所述基片的旋转方向前方偏移，所述第一碰撞角变得越小。