[发明专利]半导体装置封装及其制造方法与治具

说明书

本揭露提供了一种半导体装置封装及其制造方法与治具。所述半导体装置封装包含一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。另外，本揭露亦提供一种制造所述半导体装置封装的方法及治具。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置封装及半导体装置封装的制造方法与治具。

背景技术

在模塑底部填胶(Molded Underfill，MUF)的封装结构中，可以通过调整流速、模温、成型压力以改善形成在凸块之间的间隙(void)的问题。此外，可通过在基板上对应可能发生间隙之处形成排气孔，在注入封装材料时，通过排气孔抽气将封装材料引导至排气孔，来减少间隙的产生。然而，上述做法会导致封装材料溢出至基板下表面，影响锡球的附着。因此，有必要寻求新的制造方法及治具解决上述问题。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装包含一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。

根据本公开的一些实施例，一种治具包含一载板及一压力感测逆止阀。所述载板用于承载一基板。所述压力感测逆止阀经配置以嵌入所述基板的一孔洞。

根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装的制造方法包含：提供一基板，所述基板包括一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；由所述基板的所述第二表面注入一封装材料，使所述封装材料由所述基板的所述第二表面流入所述孔洞并停止于所述孔洞内。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的内容。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。

图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。

图2是图1的局部的放大图。

图2A绘示填充物与凹陷的横截面视图。

图3是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。

图4是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。

图4A是图4的局部之下视图。

图5是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。

图6是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。

图7、图8、图9、图10和图11说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。

图7A绘示阻挡结构和治具的局部放大图。

图12、图13和图14说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。

图12A绘示阻挡组件与孔洞的尺寸比例。