[发明专利]双重非均匀性空间自屏效应修正方法、装置、设备及介质有效
申请号: | 202011301026.1 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112364555B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 娄磊;秦冬;姚栋;王连杰;于颖锐;柴晓明;彭星杰;李庆;陈长;刘同先;李满仓;秦雪;唐霄;李司南 | 申请(专利权)人: | 中国核动力研究设计院 |
主分类号: | G06F30/25 | 分类号: | G06F30/25;G06F111/08 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 张超 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双重 均匀 空间 效应 修正 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种双重非均匀性空间自屏效应修正方法,其特征在于,包括:
通过蒙特卡罗方法,对从燃料表面逃脱的所有中子数和从燃料表面逃脱后在慢化剂中不经过任何碰撞,而进入到相邻燃料栅元发生碰撞的中子数进行计算,得到丹可夫因子;
获取中子逃脱概率,基于所述丹可夫因子对所述中子逃脱概率进行修正,以修正中子共振计算的双重非均匀性;
根据均匀前后中子在随机分布介质区的逃脱概率不变,将所述随机分布介质区等效为均匀化介质;
基于弥散颗粒和基体各子区的宏观截面,以及各子区对应的体积份额和空间自屏因子计算所述均匀化介质的等效截面,以修正中子输运计算的双重非均匀性;
其中,所述基于弥散颗粒和基体各子区的宏观截面,以及各子区对应的体积份额和空间自屏因子计算所述均匀化介质的等效截面,包括:
通过等效截面计算公式计算所述均匀化介质的等效截面;所述等效截面计算公式具体为其中,指均匀化介质的等效截面,fj指第j子区占整个随机分布介质区的体积份额,Sj指第j子区的空间自屏因子,Σj指第j子区的总截面,指考虑空间自屏因子后的第j子区的总截面;
所述等效截面计算公式具体包括第一计算公式、第二计算公式和第三计算公式;
其中,第一计算公式具体为:其中,p指中子在随机分布介质区的逃脱概率,L指沿中子任意飞行方向平均每穿过一个半径为R的包覆颗粒所经历的距离;
第二计算公式具体为:其中,pj指中子在随机分布介质区各子区的首次碰撞概率,p指中子在随机分布介质区的逃脱概率,fj指第j子区占整个随机分布介质区的体积份额;其中,
第三计算公式具体为:其中,Sj指第j子区的空间自屏因子,Σj指第j子区的总截面,指考虑空间自屏因子后的第j子区的总截面。
2.根据权利要求1所述的双重非均匀性空间自屏效应修正方法,其特征在于,所述对从燃料表面逃脱的所有中子数和从燃料表面逃脱后在慢化剂中不经过任何碰撞,而进入到相邻燃料栅元发生碰撞的中子数进行计算,得到丹可夫因子,包括:
将从燃料表面逃脱的所有中子数作为第一个数据;
将从燃料表面逃脱后在慢化剂中不经过任何碰撞,而进入到相邻燃料栅元发生碰撞的中子数作为第二个数据;
将所述第二个数据与所述第一个数据的比值作为丹可夫因子。
3.根据权利要求1所述的双重非均匀性空间自屏效应修正方法,其特征在于,所述第一计算公式中L可通过第四公式计算得到;其中,第四公式具体为:从而得到其中,R指包覆颗粒的半径,F指包覆颗粒的填充率。
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