[发明专利]一种硫空位Cu-MoS2有效

专利信息
申请号: 202011301601.8 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112473698B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 叶伟;陶婷 申请(专利权)人: 杭州师范大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/08;B01J37/10;B01J37/34;C25B1/27;C25B11/091
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310015 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 空位 cu mos base sub
【权利要求书】:

1.一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征是,所述硫空位Cu-MoS2催化剂制备方法包括以下步骤:

(1)将钼酸钠溶于第一溶剂中,加入第二溶剂并搅拌,反应釜反应后,离心洗涤得到MoO3纳米带;

(2)将MoO3纳米带溶于第一溶剂中搅拌至溶解,加入硫脲、二价铜的化合物搅拌至溶解,反应釜中反应后,离心洗涤得到Cu掺杂的MoS2催化剂;

(3)将Cu掺杂的MoS2催化剂在保护气体下进行煅烧;

(4)将煅烧后的Cu掺杂的MoS2用等离子体进行处理,即得产物。

2.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,钼酸钠的浓度为0.1-1mol/L,第一溶剂为水、第二溶剂为硝酸。

3.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,钼酸钠、第一溶剂及第二溶剂的体积比为0.5-0.8:5-10:1,第二溶剂加入时采用滴加的方式。

4.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(1)中,反应温度为150-250℃,反应时间为16-20h。

5.根据权利要求1 所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(2)中,二价铜的化合物为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(2)中,MoO3纳米带、硫脲、二价铜的化合物摩尔比为0.08:1-1.1:0.005-0.01。

7.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(2)中,反应温度为100-200℃,反应时间为10-14h。

8.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(3)中,保护气体为氩气、氮气中的一种,煅烧温度为350-500℃,煅烧时间为180-320 min。

9.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(4)中,等离子体处理的工艺气体为氧气、氮气中的一种。

10.根据权利要求1所述的一种硫空位Cu-MoS2催化剂在电化学氮还原反应中的应用,其特征在于,所述步骤(4)中,等离子体处理时间为50-70 min。

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