[发明专利]一种场发射显示像素单元在审
申请号: | 202011301648.4 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112509895A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 赵发展;卜建辉;罗家俊;韩郑生;曹硕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01J29/48 | 分类号: | H01J29/48;H01J31/12 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 显示 像素 单元 | ||
本发明属于显示技术领域,公开了一种场发射显示像素单元,包括:栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路;所述栅电极为圆环形电极,且所述栅电极与所述驱动电路相连;所述电子收集电极与所述恒流源电路相连;其中,所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方,所述电子收集电极位于所述栅电极上方。本发明提供的场发射显示像素单元能够实现像素亮度的均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种场发射显示像素单元。
背景技术
场发射显示单元由于场发射的均匀性缺陷导致在大规模使用时会出现亮度不均匀的问题,因此在大屏应用以及寿命上都存在问题。其中,主要是由于工艺引起的栅电极和电子发射尖间距的不一致性导致的场发射效率不一致,最终表现为像素亮度的不一致。
发明内容
本发明提供一种场发射显示像素单元,解决现有技术中像素单元亮度不均匀的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种场发射显示像素单元,包括:栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路;
所述栅电极为圆环形电极,且所述栅电极与所述驱动电路相连;
所述电子收集电极与所述恒流源电路相连;
其中,所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方,所述电子收集电极位于所述栅电极上方。
进一步地,所述驱动电路和所述恒流源电路布置在所述发射尖和所述电子收集电极之间的发射角的阴影内。
进一步地,所述驱动电路与所述恒流源电路通过STI隔离工艺隔开。
进一步地,所述驱动电路连接有驱动电路电源。
进一步地,所述电子收集电极连接有电子收集电源。
进一步地,所述电子收集电极的顶部设置有盖板。
进一步地,所述盖板上设置有荧光层。
进一步地,所述栅电极、所述电子收集电极、所述发射尖、所述驱动电路以及所述恒流源电路在同一工艺流程中完成。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本申请实施例中提供的场发射显示像素单元,基于场发射技术,为栅电极、电子收集电极、发射尖配置驱动电路以及恒流源电路,进行补偿;利用驱动电路和恒流源电路来动态感知发射尖的电流,并且根据外部输入来自动调节发射尖的电流和栅电极的电压,最终改变栅电极和发射尖的电场,改变发射尖的发射效率,控制发射尖上电子的发射数目,也就是发射尖中流过的电流;利用电流源控制电路控制发射尖中流过的电流可以补偿由于工艺中的加工偏差而引起的栅电极与发射尖的距离偏差,从而通过控制发射尖的电流来统一不同像素之间的发射效率,达到像素亮度的均匀性。同时达到保护发射尖由于工艺偏差的影响,避免了某些像素发射率过高导致的发射尖烧毁的现象。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本发明实施例提供的显示单元的原理框图;
图2为本发明实施例提供的显示单元的封装结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示单元的俯视图;
图4为本发明实施例提供的电子轨迹示意图。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种场发射显示像素单元,解决现有技术中像素单元亮度不均匀的技术问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011301648.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。