[发明专利]SWP接口电路和终端有效
申请号: | 202011301717.1 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112118004B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 黄磊 | 申请(专利权)人: | 四川科道芯国智能技术股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H04B5/02 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | swp 接口 电路 终端 | ||
1.一种SWP接口电路,其特征在于,包括:驱动模块、调制模块、参考电压模块、比较模块和输出模块;
所述驱动模块第一端连接非接触式前端,所述驱动模块的第二端连接所述调制模块的第一端,用于将所述非接触式前端的电压信号经整形后发送至所述调制模块;
所述调制模块的第二端连接SIM卡芯片,所述调制模块的第三端连接所述比较模块的第一端,所述调制模块用于将所述电压信号调制后发送至所述SIM卡芯片,并将所述SIM卡芯片的电流信号和所述电压信号混合后的调制信号发送至所述比较模块;
所述参考电压模块第一端连接电源,所述参考电压模块的第二端和所述比较模块的第二端连接,所述比较模块的输出端和所述输出模块的第一端连接,所述比较模块用于基于所述参考电压模块的输出的参考电压和所述调制信号输出调制电压;
所述输出模块第二端和所述非接触式前端连接,用于将所述调制电压传输至所述非接触式前端。
2.根据权利要求1所述的SWP接口电路,其特征在于,所述驱动模块由第一反相器和第二反相器串联组成,所述第一反相器的输入端连接所述非接触式前端,所述第二反相器的输出端连接所述调制模块的第一端。
3.根据权利要求2所述的SWP接口电路,其特征在于,所述调制模块由第一电阻和第二电阻串联组成,所述第一电阻的输入端和所述第二反相器的输出端连接,所述第二电阻的输出端和所述比较模块的第一端连接,所述第一电阻和所述第二电阻连接的中点和所述SIM卡芯片连接。
4.根据权利要求3所述的SWP接口电路,其特征在于,所述参考电压模块包括:电容、第三电阻和第四电阻;
所述第三电阻和所述第四电阻串联连接,所述第三电阻的输入端和电源正极连接,所述第四电阻的输出端和电源负极连接;
所述电容和所述第四电阻并联连接。
5.根据权利要求4所述的SWP接口电路,其特征在于,所述比较模块采用差分放大结构实现所述调制信号和从所述第三电阻和所述第四电阻串联连接处引出的所述参考电压的比较输出。
6.根据权利要求5所述的SWP接口电路,其特征在于,所述比较模块包括:电流镜电路和差分放大电路,所述电流镜电路用于为所述差分放大电路提供所需电流;
所述差分放大电路用于基于所述调制电压和所述参考电压进行比较并输出相应的调制电压至所述输出模块。
7.根据权利要求6所述的SWP接口电路,其特征在于,所述电流镜电路包括第五电阻和四个MOS管,所述四个MOS管均为N道沟MOS管,所述第五电阻的一端和电源正极连接,所述第五电阻的另一端和第一MOS管的漏极连接,所述第一MOS管的漏极和栅极连接;所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管的栅极依次并联连接,所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极均接地。
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