[发明专利]一种IGBT退饱和故障的检测装置

权利要求书

1.一种IGBT退饱和故障的检测装置，应用于待检测IGBT，所述待检测IGBT通过信号通道接收控制模块输出的脉宽调制信号，其特征在于，所述检测装置包括与所述信号通道连接的逻辑处理电路、MOS管、第一二极管和信号输出电路，其中：

所述逻辑处理电路与所述信号通道连接，用于从所述信号通道获取的所述脉宽调制信号和反向脉宽调制信号，并在所述脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出导通控制信号、在所述反向脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出截止控制信号；

所述MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接、源极接地；

所述第一二极管的负极与所述待检测IGBT的C极连接、正极与所述信号输出电路连接，所述第一二极管的正极的高电平信号用于作为退饱和故障信号；

所述信号输出电路的输入端与所述第一二极管的正极连接、输出端与所述待检测IGBT的保护处理单元信号连接；

所述逻辑处理电路包括第一比较器、第一分压电阻、第二分压电阻、第二比较器和或非门，其中：

所述第一比较器的反相输入端用于接收第一基准电压、正相输入端与所述第一分压电阻的一端、所述第二分压电阻的一端连接，所述第一比较器的输出端与所述或非门的一个输入端连接；

所述第一分压电阻的另一端用于接收上拉电压；

所述第二分压电阻的另一端用于接收所述信号通道输出的脉宽调制信号；

所述第二比较器的反相输入端用于接收第二基准电压、正相输入端用于接收所述信号通道输出的反向脉宽调制信号、输出端与所述或非门的另一个输入端连接；

所述或非门的输出端用于输出所述导通控制信号或截止控制信号；

所述或非门的输出端与所述MOS管的门极通过第二二极管连接，其中：

所述第二二极管的正极与所述或非门的输出端连接、负极与所述MOS管的门极连接；

所述第二二极管并联有一个第一电阻。

2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述信号通道包括第一光耦、上拉电阻和反相器，其中：

所述第一光耦的输入端用于接收所述脉宽调制信号；

所述第一光耦的发射极接地、集电极与所上拉电阻的一端连接，并用于输出所述反向脉宽调制信号；

所述上拉电阻的另一端用于接收上拉电压；

所述反相器的输入端与所述第一光耦的集电极连接、输出端与所述待检测IGBT的门极连接，所述反相器的输出端还用于输出所述脉宽调制信号。

3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述MOS管的门极通过一个电容与其源极连接。

4.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述信号输出电路包括第二电阻、第三电阻和第二光耦，其中：

所述第二电阻的一端与所述第一二极管的正极连接、另一端与所述第二光耦的输入端的负极连接；

所述第二光耦的输入端的正极用于接收驱动电压；

所述第二光耦的集电极用于作为所述信号输出电路的输出端，且与所述第三电阻的一端连接，所述第二光耦的发射极接地；

所述第三电阻的另一端用于接收驱动电压。