[发明专利]一种非对称电极石墨烯/二维材料异质结级联光电探测器在审
申请号: | 202011303908.1 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112531069A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 陈慧霞;徐成;付永启 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对称 电极 石墨 二维 材料 异质结 级联 光电 探测器 | ||
1.一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,包括从下至上依次设置的衬底、第一电极、二维材料/石墨烯异质结、第二电极,其特征在于,所述二维材料/石墨烯异质结为石墨烯与二维材料交错层叠构成的n层异质结。
2.如权利要求1所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述n层异质结中,n的取值为3-5,且从底层到顶层的费米能级逐层递减。
3.如权利要求2所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述第一电极为功函数高于等于5.1的金属电极;所述第二电极为功函数低于等于4.26的金属电极。
4.如权利要求1所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述二维材料为过渡金属硫化物。
5.如权利要求1所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述二维材料为MoS2、或者WS2。
6.如权利要求1-5所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述光电探测器制成后,通过退火增加异质结界面耦合。
7.如权利要求1-5所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述衬底为双层结构的复合衬底,其中上层为二氧化硅,下层为硅。
8.如权利要求3所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述第一电极为为Pt、或Au;所述第二电极为Ag。
9.如权利要求8所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述第一电极、第二电极通过磁控溅射或热蒸镀方式制成,第一电极的厚度为10-100um,第二电极的厚度为5-20nm。
10.如权利要求6所述的一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,所述退火条件为:在管式加热炉内通入惰性气体,设置炉内温度为400℃-600℃,压强1pa-10pa,对材料加热3h-5h。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的