[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 202011304074.6 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114520264A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 罗宗仁;何冠毅;徐国谦;张哲华;杨晓莹;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包含：
一基底；
一第一井区，设置在该基底内，该第一井区具有一第一导电类型；
一第二井区，设置在该基底内邻接该第一井区，该第二井区具有一第二导电类型，该第二导电类型与该第一导电类型互补；
一第一绝缘层，设置在该第一井区上；
一源极，设置在该第二井区内；
一漏极，设置在该第一井区内；以及
一第一电极结构以及一第二电极结构，设置在该基底上，该第一电极结构的电极顶面到该基底的顶面之间的距离具有不同的一第一高度以及一第二高度，其中，该第一电极结构以及该第二电极结构的至少其中之一为一闸极结构。
2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一电极结构覆盖一部分的该第一绝缘层，并位于该第一井区与该第二井区的交界处，该第二电极结构位于该第一井区上。
3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一电极结构位于该第一井区上覆盖一部分的该第一绝缘层。
4.如权利要求2或3所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一电极结构以及该第二电极结构的电极相互分隔设置。
5.如权利要求2或3所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二电极结构部分重叠于该第一电极结构。
6.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二电极结构包括一电容结构，该电容结构包括依序堆栈的一闸极电极、一介电层以及一导体层。
7.如权利要求6所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一电极结构以及该第二电极结构共享该闸极电极。
8.如权利要求6所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二电极结构的电极顶面到该基底的顶面之间的距离包括一第三高度、一第四高度以及一第五高度，其中该第一高度、该第二高度、该第三高度、该第四高度以及该第五高度皆不相等。
9.如权利要求3所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二电极结构设置在该第一井区与该第二井区的交界处。
10.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一绝缘层包含相互分隔的第一部分以及第二部分。
11.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，还包含：
一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上，该第二电极结构部分设置在该第二绝缘层上。
12.如权利要求11所述的高压半导体装置，其特征在于，还包含：
一第三电极结构，与该第一电极结构分隔设置，其中，该第二电极结构以及该第三电极结构分别包括一闸极结构以及一电容结构。
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