[发明专利]一种音频芯片的检测方法及检测设备

权利要求书

1.一种音频芯片的检测方法，用于对待测音频芯片进行电学功能检测和失效原因分析，其特征在于，包括：

装夹步骤一S110：由电测夹具将待测音频芯片转移至电测治具进行装夹；

电测步骤S120：所述电测治具对所述待测音频芯片进行电学功能检测，以判断所述待测音频芯片的电学功能是否合格；

评价步骤一S130：根据所述电学功能检测的检测结果判断检测流程是否结束，若所述电学功能检测的检测结果为合格，则判断所述待测音频芯片为良品，并结束检测流程；若所述电学功能检测的检测结果为不合格，则继续进行检测流程；

成像步骤一S140：由直接成像设备对所述待测音频芯片的引脚外观连接情况进行直接成像并得到直接成像结果；

评价步骤二S150：根据所述直接成像结果判断所述待测音频芯片的引脚与所述电测治具间是否存在连接不良；若是，则返回装夹步骤一S110；

装夹步骤二S160：由转移夹具夹取所述待测音频芯片并与透视成像夹具组合；

所述透视成像夹具为底部形状与所述待测音频芯片基板形状相匹配的凹槽形结构，所述底部设置有与所述待测音频芯片的引脚相匹配的通孔，所述待测音频芯片的引脚能够穿过所述通孔；所述底部涂覆有超声波成像耦合剂；所述底部为厚度不超过0.012毫米的柔性薄膜结构，所述透视成像设备与所述柔性薄膜结构间通过超声波成像耦合剂相接触；所述底部具有能够滑动开启的滑动结构，所述滑动结构开启后，所述透视成像设备与所述待测音频芯片的基板异于封装表面的一侧平面间通过超声波成像耦合剂相接触；

成像步骤二S170：由透视成像设备和所述透视成像夹具对所述待测音频芯片的封装内部结构情况进行透视成像并得到透视成像结果；

分析步骤S180：由分析设备根据所述透视成像结果判断所述待测音频芯片的封装内部结构情况，并分析所述待测音频芯片的失效原因；

所述成像步骤二采用超声波成像手段对所述待测音频芯片的封装内部结构进行透视成像；

所述透视成像设备以所述待测音频芯片的基板异于封装表面的一侧平面作为透视成像平面；

所述透视成像平面与超声波成像有耦合剂相接触。

2.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述透视成像结果的显示精度为0.04微米。

3.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述分析步骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部载带、键合线以及引线的键合状态判断所述待测音频芯片的失效原因。

4.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述分析步骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部积体电路的各层组件的状态判断所述待测音频芯片的失效原因。

5.根据权利要求4所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述积体电路的各层组件包括扩散层、灌输层、多晶硅层、金属层和接触层。

6.根据权利要求4所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述积体电路的各层组件的状态包括所述各层组件的尺寸状态和所述各层组件之间的连接状态。

7.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括交叉分析步骤，所述交叉分析步骤结合所述电学功能检测所得到的电学参数与所述分析步骤所得到的状态参数，对所述待测音频芯片的制造工艺进行评价，并得到工艺调整参数。