[发明专利]一种电子烟硅咪的ASIC芯片及其吸烟过程中ASIC芯片的处理方法在审

专利信息
申请号: 202011304897.9 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112273733A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 王全;乐忠明 申请(专利权)人: 嘉兴飞童电子科技有限公司
主分类号: A24F40/40 分类号: A24F40/40;A24F40/50;A24F40/90
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 杨学强
地址: 314001 浙江省嘉兴市南湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子 烟硅咪 asic 芯片 及其 吸烟 过程 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种电子烟硅咪的ASIC芯片,其特征在于,所述ASIC芯片包括:

电容检测模块、主控算法模块、放电模块,所述电容检测模块用于获取电子烟硅咪中的微机电系统MEMS电容芯片的当前电容值,根据所述当前电容值和原始电容值获取减少量,主控算法模块判断所述减少量是否超过预设的电容变化阈值,如果超过,则控制所述放电模块进行放电,所述放电模块通过放电在宽电压域内对电子烟的烟油进行加热。

2.如权利要求1所述的ASIC芯片,其特征在于,所述ASIC芯片还包括:

充电模块,用于通过恒压、恒流、涓流三个阶段依序对锂电池进行充电,所述锂电池用于对所述电子烟进行供电。

3.如权利要求2所述的ASIC芯片,其特征在于,所述ASIC芯片还包括:

保护模块,用于在ASIC芯片的负载电流超过预设的电流阈值和/或ASIC芯片的温度超过预设的温度阈值时,停止所述放电模块的运行。

4.如权利要求3所述的ASIC芯片,其特征在于,所述电流阈值为4A,所述温度阈值为140℃。

5.如权利要求1~4任一项所述的ASIC芯片,其特征在于,所述电容变化阈值为3%。

6.一种电子烟吸烟过程中ASIC芯片的处理方法,其特征在于,所述处理方法包括:

获取MEMS电容芯片的当前电容值;

将所述当前电容值与存储的所述MEMS电容芯片的原始电容值进行比较,获取所述MEMS电容芯片的电容值的减少量;

将所述减少量与预设的电容变化阈值进行比较,判断所述减少量是否超过所述电容变化阈值;

如果所述判断为超过,则通过放电在宽电压域内对电子烟的烟油进行加热。

7.如权利要求6所述的处理方法,其特征在于,所述处理方法还包括:

通过恒压、恒流、涓流三个阶段依序对锂电池进行充电,所述锂电池用于对所述电子烟进行供电。

8.如权利要求7所述的处理方法,其特征在于,所述处理方法还包括:

实时获取ASIC芯片的负载电流和/或温度,并在所述负载电流超过预设的电流阈值和/或所述温度超过预设的温度阈值时,停止所述放电模块的运行。

9.如权利要求8所述的处理方法,其特征在于,所述电流阈值为4A,所述温度阈值为140℃。

10.如权利要求6~9任一项所述的处理方法,其特征在于,所述电容变化阈值为3%。

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