[发明专利]一种高效的Bi2有效

专利信息
申请号: 202011305018.4 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112538638B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 陈卓元;田景;冯昌;荆江平;孙萌萌 申请(专利权)人: 中国科学院海洋研究所
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/075;C25B1/04;C25B1/55;C25D9/04;C25D5/50;C25D5/54
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李颖
地址: 266071 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效 bi base sub
【权利要求书】:

1.一种高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法,其特征在于:1)以FTO导电玻璃作为基底浸至BiOI的沉积液中,通过电化学沉积于基体形成BiOI薄膜,而后通过点涂及退火法使基体表面薄膜形成纯BiVO4膜;

2)将上述基底浸泡至含硝酸铋,钼酸钠的沉积液中通过水热法制得Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系。

2.按权利要求1所述的高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法,其特征在于:所述步骤1)所述BiOI的沉积液为将Bi(NO3)3·5H2O溶于KI溶液中得混合液A,其中,混合液A中Bi(NO3)3·5H2O终浓度为0.02-0.06mol/L,KI终浓度为0.02-0.06mol/L,调节混合液A pH至1.7-2.0;将p-对苯醌溶于乙醇中,得p-对苯醌终浓度为0.1-0.3mol/L的混合液B;再将混合液A与混合液B按体积比为5:1-5:3混合。

3.按权利要求1所述的高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中基体形成BiOI薄膜后, 将乙酰丙酮钒通过点涂法涂在BiOI表面,60-80℃干燥后在400-450℃退火2-5h,而后洗涤,室温下晾干,即使基体表面薄膜形成纯BiVO4膜。

4.按权利要求1所述的高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法,其特征在于:所述步骤2)将Bi(NO3)3·5H2O和Na2MoO4·2H2O分别加入至乙二醇,而后将两溶解液按体积比为1:1混合的混合液A,再加入乙醇得沉积液;其中,乙二醇中Bi(NO3)3·5H2O终浓度为2-8mol/L,Na2MoO4·2H2O终浓度为1-4mol/L;混合液A与乙醇体积比为1:5-1:3。

5.按权利要求1-4任意一项所述的高效的Bi2MoO6包覆BiVO4异质结光电极体系的制备方法,其特征在于:

(1)制备BiVO4基底:FTO导电玻璃作为基底清洗后浸泡在BiOI的沉积液中, 通过电化学沉积法在FTO上沉积一层BiOI薄膜,然后,将乙酰丙酮钒通过点涂法涂在基体BiOI薄膜表面,而后60-80℃干燥,干燥后将基体置于管式炉内以5-10℃/min的升温速率升温至400-450℃退火2-5h,退火后经NaOH溶液和去离子水洗涤,室温下晾干,即使基体表面薄膜形成纯BiVO4膜;

(2)制备Bi2MoO6/BiVO4:将Bi(NO3)3·5H2O和Na2MoO4·2H2O分别溶解于乙二醇中,完全溶解后将二者混合,混合后加入至乙醇中得到澄清的溶液,而后将上述步骤1)基底浸没至其中干燥条件下160℃反应8h,洗涤干燥后得产品。

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