[发明专利]一种绝缘窗及其控制方法、及等离子体处理装置在审
申请号: | 202011305453.7 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN114551200A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 毛杰;左涛涛 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 及其 控制 方法 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种绝缘窗,其用于等离子体处理装置,其特征在于:包括:
窗主体,所述窗主体具有内部区域和围绕内部区域的至少一部分的外部区域;
温度控制装置,其包括加热装置和区域温控装置;
所述加热装置至少位于所述窗主体的外部区域;
所述区域温控装置位于所述窗主体的内部区域,其中,区域温控装置为半导体制冷器,所述半导体制冷器用于在等离子体产生之前对所述窗主体加热。
2.如权利要求1所述的绝缘窗,其特征在于:所述半导体制冷器还用于在等离子体产生时对窗主体冷却。
3.如权利要求2所述的绝缘窗,其特征在于:所述加热装置大致呈环形分布且形成至少一个环,所述半导体制冷器大致呈环形分布且形成至少一个环;其中,所述加热装置的功率密度沿着所述窗主体的径向方向由外部区域向内部区域减小,所述区域温控装置的功率密度沿着所述窗主体的径向方向由外部区域向内部区域增加。
4.如权利要求3所述的绝缘窗,其特征在于:半导体制冷器与加热装置在内部区域中沿着周向方向交替设置。
5.如权利要求2所述的绝缘窗,其特征在于:所述加热装置为加热贴片,所述加热贴片中间夹设有加热丝;所述加热丝具有短弯折部和长弯折部,所述短弯折部和长弯折部在窗主体的周向方向上交替设置并彼此相连形成大致的第一加热环;其中,长弯折部沿着窗主体的径向向内部区域延伸。
6.如权利要求5所述的绝缘窗,其特征在于:所述长弯折部沿着窗主体的径向向中心延伸的部分延伸至内部区域的窗主体的中心附近。
7.如权利要求5或6所述的绝缘窗,其特征在于:短弯折部由至少一个短弯折单元构成,且长弯折部由至少一个长弯折单元构成。
8.如权利要求5或6所述的绝缘窗,其特征在于:加热装置还包括第二加热环,所述第二加热环与第一加热环相邻,且位于第一加热环靠近中心一侧。
9.如权利要求8所述的绝缘窗,其特征在于:所述第二加热环为中间夹设有加热丝的加热贴片,所述加热丝具有短弯折部和长弯折部,所述短弯折部和长弯折部在窗主体的周向方向上交替设置并彼此相连形成大致的第二加热环;其中,长弯折部沿着窗主体的径向向内部区域延伸。
10.如权利要求5所述的绝缘窗,其特征在于:所述半导体制冷器包括第一半导体制冷器,所述第一半导体制冷器包括多个制冷单元,所述制冷单元为方形、扇形或环形,所述制冷单元形成大致的第一环形。
11.如权利要求5、6、8或9任一所述的绝缘窗,其特征在于:所述半导体制冷器包括第一半导体制冷器,所述第一半导体制冷器包括多个制冷单元,所述制冷单元为方形或扇形,所述制冷单元形成大致的第一环形,所述制冷单元和长弯折部的向内部区域延伸的部分交替设置。
12.如权利要求11所述的绝缘窗,其特征在于:所述半导体制冷器还包括第二半导体制冷器,所述第二半导体制冷器包括多个制冷单元,所述制冷单元为方形或扇形,所述多个制冷单元形成大致的第二环形,所述第二环形与第一环形相邻,且位于第一环形远离中心一侧;且第二半导体制冷器的功率密度小于第一半导体制冷器的功率密度。
13.如权利要求2所述的绝缘窗,其特征在于:所述温度控制装置还包括冷却装置,所述冷却装置为多个风扇组件;其中,所述冷却装置设置在所述绝缘窗的外表面相对侧。
14.如权利要求5或9所述的绝缘窗,其特征在于:所述加热丝为单根或可以分开独立控制的多根。
15.一种等离子体处理装置,包括反应腔和如权利要求1-14所述的绝缘窗,所述绝缘窗设置在反应腔上部。
16.如权利要求1-14所述的绝缘窗的温度控制的方法,其特征在于:包括:
预热步骤,在等离子体产生之前,分别控制加热装置和区域温控装置加热;
控温步骤,在等离子体产生时,分别控制加热装置加热,区域温控装置降温。
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