[发明专利]一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述薄膜包括聚酰亚胺和均匀填充在聚酰亚胺中的氧化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，以重量百分比计，所述氧化石墨烯的填充含量为0.1-5wt％。

3.根据权利要求1-2任一项所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺为含磺酸基的聚酰亚胺。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺是通过将二胺类单体和四羧酸二酐类单体缩聚得到，所述二胺类单体包括含磺酸基取代的二胺。

5.根据权利要求4所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述含磺酸基取代的二胺为2，5-二氨基苯磺酸或2，2'-联苯胺二磺酸；优选地，所述含磺酸基取代的二胺是二胺类单体摩尔总量的10-50％。

6.根据权利要求4或5所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述四羧酸二酐类单体为3，3'，4，4'-联苯四甲酸二酐、3，3'，4，4'-二苯醚四甲酸二酐、3，3'，4，4'-二苯甲酮四甲酸二酐或3，3'，4，4'-二苯砜四酸二酐中的至少一种。

7.根据权利要求4-6任一项所述的高介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述二胺类单体还包括其他二胺，所述其他二胺为4，4'-二氨基二苯醚、3，4'-二氨基二苯醚、4，4'-二氨基二苯砜、3，3'-二氨基二苯砜中的至少一种。

8.一种权利要求1-7任一项所述的高介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将二胺类单体与四羧酸二酐类单体进行缩聚反应得到聚酰胺酸，加入脱水剂和酰亚胺化剂进行酰亚胺化反应，得到聚酰亚胺；

S2、将步骤S1中得到的聚酰亚胺与氧化石墨烯混匀，在载体上涂布成膜，加热处理，即得所述高介电聚酰亚胺薄膜。

9.根据权利要求8所述的高介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为50-200℃。

10.一种薄膜电容器，其包含权利要求1-7任一项所述的高介电聚酰亚胺薄膜。