[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 202011307502.0 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112466961A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 金井升;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 200040 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法,太阳能电池包括:基底,位于基底上表面的第一钝化膜和第一电极,以及位于基底下表面的场钝化层和第二电极,场钝化层包括位于第二电极与基底之间的第一场钝化子层以及位于相邻第二电极之间的第二场钝化子层;第一场钝化子层的材料的电导率大于第二场钝化子层的材料的电导率,第二场钝化子层的厚度小于第一场钝化子层的厚度;在基底朝向第一钝化膜的方向上,第一电极包括依次层叠的银电极、导电胶和电极膜;和/或,在基底朝向场钝化层的方向上,第二电极包括依次层叠的银电极、导电胶和电极膜。本发明实施例有利于提高太阳能电池的转换效率和降低太阳能电池的成本。
技术领域
本发明实施例涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的不断发展,金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率,常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化,以降低太阳能电池体内和表面的复合。此外,为降低太阳能电池的电阻率,现有技术通常采用银金属作为电极材料。
然而,现有太阳能电池的转换效率依旧有待提高,且成本有待降低。
发明内容
本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法,有利于提高太阳能电池的转换效率和降低太阳能电池的成本。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种太阳能电池,包括:基底,在基底上表面依次层叠的第一钝化膜、减反射层和第一电极,以及在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层和第二电极,所述场钝化层包括位于所述第二电极与所述基底之间的第一场钝化子层以及位于相邻所述第二电极之间的第二场钝化子层;所述第一场钝化子层的电导率大于所述第二场钝化子层的电导率,在垂直于所述基底表面的方向上,所述第二场钝化子层的厚度小于所述第一场钝化子层的厚度;在所述基底朝向所述第一钝化膜的方向上,所述第一电极包括依次层叠的银电极、导电胶和电极膜;或者,在所述基底朝向所述场钝化层的方向上,所述第二电极包括依次层叠的银电极、导电胶和电极膜。
另外,在所述基底朝向所述场钝化层的方向上,所述第二场钝化子层的底面齐平于所述第一场钝化子层的底面。
另外,在所述基底朝向所述场钝化层的方向上,所述第二场钝化子层的顶面的表面掺杂浓度低于所述第一场钝化子层的顶面的表面掺杂浓度。
另外,所述第一场钝化子层的顶面与所述第二场钝化子层的顶面的表面掺杂浓度差为0.5E+20/cm3~1.5E+20/cm3。
另外,在远离所述基底的方向上,所述第一场钝化子层包括依次层叠的离子富集层和离子扩散层,所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度;在所述基底朝向所述场钝化层的方向上,所述第二场钝化子层的顶面低于所述第一场钝化子层的顶面,且所述第二场钝化子层和所述第一场钝化子层的厚度差大于所述离子富集层的厚度。
另外,所述第一场钝化子层的材料与所述第二场钝化子层的材料不同,所述第二场钝化子层的吸光系数小于所述第一场钝化子层的吸光系数。
另外,所述银电极包括多条细栅线和连接多条所述细栅线的主栅线,所述导电胶覆盖所述主栅线和/或细栅线。
另外,所述电极膜的材料包括导电有机物、导电无机物、非银金属单质或非银金属复合物。
另外,所述导电胶包括基体和导电粒子,所述基体的材料包括丙烯酸、环氧、硅胶、马来酸酐或杂化树脂,所述导电粒子的材料包括银、银包铜、金、镍或碳。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司,未经晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011307502.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种空气采样器用旋风分离器
- 下一篇:一种便于易散热的电缆、光电复合缆及光缆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的