[发明专利]装置结构在审
申请号: | 202011308172.7 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112825314A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 方绪南;庄淳钧;翁振源 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/544 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 结构 | ||
1.一种装置结构,其包括:
第一电子结构,其具有表面和中心;以及
多个第一电接点,其显露于所述表面,其中所述第一电接点以随着距所述中心的距离增加而增加的间距间隔开。
2.根据权利要求1所述的装置结构,其中所述第一电接点设置在延伸穿过所述第一电子结构的所述中心的多个轴线上,且在两个最接近的轴线之间存在夹角。
3.根据权利要求1所述的装置结构,其中所述第一电子结构进一步在所述表面上具有中心区域和外围区域,所述中心在所述中心区域内,所述外围区域围绕所述中心区域,所述第一电接点包括设置在所述中心区域中的至少一个中心电接点、设置在所述外围区域中且邻近所述中心区域的多个内部电接点以及设置在所述外围区域中且远离所述中心区域的多个外部电接点,且所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的间距大于所述内部电接点与最接近所述内部电接点的所述中心电接点之间的间距。
4.根据权利要求3所述的装置结构,其中两个相邻外部电接点之间的间距大于所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的所述间距。
5.根据权利要求3所述的装置结构,其进一步包括对应于所述第一电子结构的第二电子结构和对应于所述第一电接点的多个第二电接点,其中所述第二电子结构具有面朝所述第一电子结构的表面和对应于所述第一电子结构的所述中心的中心,且所述第二电接点显露于所述表面。
6.根据权利要求5所述的装置结构,其中两个相邻第二电接点之间的间距大于所述内部电接点与最接近所述内部电接点的所述中心电接点之间的所述间距。
7.根据权利要求5所述的装置结构,其中两个相邻第二电接点之间的间距大于所述外部电接点与最接近所述外部电接点的所述内部电接点之间的所述间距。
8.一种装置结构,其包括:
第一电子结构,其具有表面和中心;以及
多个第一电接点,其显露于所述表面,其中所述第一电接点中的每一个具有沿其长轴的最大长度,所述长轴延伸穿过所述中心,且所述最大长度随着距所述中心的距离增加而增加。
9.根据权利要求8所述的装置结构,其中所述第一电子结构进一步在所述表面上具有中心区域和外围区域,所述中心在所述中心区域内,所述外围区域围绕所述中心区域,所述第一电接点包括设置在所述中心区域中的至少一个中心电接点、设置在所述外围区域中且邻近所述中心区域的多个内部电接点以及设置在所述外围区域中且远离所述中心区域的多个外部电接点,且所述内部电接点中的每一个的最大长度大于所述中心电接点的最大长度。
10.根据权利要求9所述的装置结构,其中所述外部电接点中的每一个的最大长度大于所述内部电接点中的每一个的所述最大长度。
11.根据权利要求9所述的装置结构,其进一步包括对应于所述第一电子结构的第二电子结构和对应于所述第一电接点的多个第二电接点,其中所述第二电子结构具有面朝所述第一电子结构的表面和对应于所述第一电子结构的所述中心的中心,且所述第二电接点显露于所述表面。
12.根据权利要求11所述的装置结构,其中所述内部电接点中的每一个的所述最大长度大于所述第二电接点中的每一个的最大长度。
13.根据权利要求11所述的装置结构,其中所述外部电接点中的每一个的最大长度大于所述第二电接点中的每一个的最大长度。
14.根据权利要求11所述的装置结构,其中所述第一电子结构为衬底,所述第一电接点为金属衬垫,所述第二电子结构为半导体裸片,且所述第二电接点为金属凸块。
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