[发明专利]具有金属氧化物半导体结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

漂移区，其设置在所述半导体衬底中，所述漂移区具有第一导电类型；

主体区，其设置在所述半导体衬底中，邻近于所述漂移区，所述主体区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；

漏极区，其设置在所述漂移区中，与所述主体区相对；

漏极隔离绝缘膜，其设置在所述漂移区的邻近于所述漏极区的一部分中；

栅极绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上，并且在所述主体区的一部分和所述漂移区的一部分上方延伸；以及

栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且具有在平面图中由所述栅电极完全围绕的至少一个开口。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口具有与所述漂移区重叠的区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

第一导电类型的杂质区，其设置在与所述至少一个开口重叠的区中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第一导电类型的杂质区的杂质浓度大于所述漂移区的杂质浓度。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型的杂质区与所述主体区间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型的杂质区与所述主体区之间的距离为至少0.1μm。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口包括闭合类型的多个开口。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述主体区、所述漂移区和所述漏极区在第一方向上布置，并且所述多个开口在所述主体区与所述漏极区之间在与所述第一方向交叉的第二方向上布置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个开口被布置为多行。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口的平面形状具有圆形部分或者其内拐角为钝角。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口的面积与所述栅电极的面积之比在2:8至8:2的范围内。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

源极区，其设置在所述主体区中，并且具有所述第一导电类型，以及

主体接触区，其邻近于所述主体区中的源极区设置，并且具有所述第二导电类型。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述漏极隔离绝缘膜包括硅的局部氧化，其设置在所述半导体衬底的上表面的位于所述栅电极与所述漏极区之间的区上。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述漏极隔离绝缘膜包括浅沟槽绝缘件，其设置在所述半导体衬底的位于所述栅电极与所述漏极区之间的区中。

15.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

漂移区，其设置在所述半导体衬底中，所述漂移区延伸至所述半导体衬底的上表面，并且具有第一导电类型；

主体区，其设置在所述半导体衬底中，并且与所述漂移区共享边界，所述主体区延伸至所述半导体衬底的上表面，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；

栅极绝缘膜，其设置在所述主体区与所述漂移区之间的边界上，所述栅极绝缘膜在所述主体区的一部分和所述漂移区的一部分上方延伸；以及

栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且具有多个开口，所述多个开口在平面图中各自由所述栅电极完全围绕，

其中，所述多个开口中的每一个具有与所述漂移区重叠的区。