[发明专利]有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置

权利要求书

1.一种有机电子装置用封装材料，其特征在于，

包括封装树脂层，上述封装树脂层通过包含封装树脂、增粘剂及吸湿剂来形成，

上述封装树脂层包括：

第一封装树脂层；以及

第二封装树脂层，形成于上述第一封装树脂层的一面，

上述第二封装树脂层还包含像素不良防止剂。

2.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

上述像素不良防止剂满足下述条件(1)及(2)，

(1)

(2)0.1μm≤D₁₀≤0.4μm，0.3μm≤D₅₀≤0.9μm，0.9μm≤D₉₀≤2.5μm，

在上述条件(1)及(2)中，D₁₀、D₅₀以及D₉₀分别表示对于在像素不良防止剂粒径的累积分布中与最大值的10％、50％、90％相对应的粒径。

3.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

上述像素不良防止剂还满足下述条件(3)，

(3)2.0μm≤D_max≤10.0μm，

在上述条件(3)中，D_max表示像素不良防止剂的最大粒径。

4.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

上述像素不良防止剂满足下述条件(4)及(5)，

(4)1.05≤A/B≤2.5，

(5)3.10g/cm³≤A，1.8g/cm³≤B，

在上述条件(4)及(5)中，A表示像素不良防止剂的振实密度，B表示像素不良防止剂的表观密度。

5.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

上述像素不良防止剂还满足下述条件(6)及(7)，

(6)1.26m²/g≤C≤2.34m²/g，

(7)6.23≤D≤11.57，

在上述条件(6)中，C表示像素不良防止剂的比表面积，在上述条件(7)中，D表示像素不良防止剂的比重。

6.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

上述像素不良防止剂满足下述条件(8)及(9)，

(8)

(9)0.0745Kcal/Kg·℃≤E≤0.1385Kcal/Kg·℃，1017℃≤F≤1889℃，53.9Kcal/℃≤G≤100.1Kcal/℃，

在上述条件(8)及(9)中，E表示像素不良防止剂的比热容，F表示像素不良防止剂的熔点，G表示像素不良防止剂的热导率。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，上述像素不良防止剂包含选自铬、铁、铂、锰、锌、铜、钴、锶、硅、镍、钡、铯、钾、镭、铷、铍、钇、钛、镧、钽、镁、硼及它们的合金中的一种以上。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，

相对于100重量份的封装树脂，上述第一封装树脂层包含94～176重量份的增粘剂及6.3～11.7重量份的吸湿剂，

相对于100重量份的封装树脂，上述第二封装树脂层包含57～107重量份的增粘剂、142～266重量份的吸湿剂以及1.9～10.6重量份的像素不良防止剂。