[发明专利]单面抛光装置及方法有效
申请号: | 202011309493.9 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112428138B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 郭宇轩 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B41/00;B24B47/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 抛光 装置 方法 | ||
1.一种单面抛光装置,其特征在于,包括:
固定部,用于对待抛光的晶圆进行固定;
位于所述固定部上方的抛光头,用于对所述晶圆进行抛光;
分布在所述晶圆周缘的多个控制销,用于固定所述晶圆的边缘,所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动;
控制机构,用于根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动;
分布在所述晶圆周缘的第一冷却液提供管路,用于向所述晶圆的侧面提供冷却液;
所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S:
S=0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置);
其中,所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度,所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销,控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
2.根据权利要求1所述的单面抛光装置,其特征在于,所述装置还包括:
位于所述固定部上方的抛光液提供管路,用于向所述晶圆的表面提供抛光液。
3.根据权利要求2所述的单面抛光装置,其特征在于,所述抛光液的流量为0.7-1.4l/min。
4.根据权利要求1所述的单面抛光装置,其特征在于,所述装置还包括:
分布在所述晶圆远离所述抛光头一侧的第二冷却液提供管路,用于向所述晶圆的底面提供冷却液。
5.一种单面抛光方法,其特征在于,应用于如权利要求1-4中任一项所述的单面抛光装置,包括:
利用所述固定部对待抛光的晶圆进行固定;
控制所述抛光头下降至所述抛光头的抛光垫与所述晶圆表面接触,所述抛光头左右往复运动对所述晶圆进行抛光;
利用分布在所述晶圆周缘的多个控制销固定所述晶圆的边缘,所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动;
利用控制机构根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动;
所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S:
S=0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置);
其中,所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度,所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销,控制销的初始位置为控制销的中心点的水平高度。
6.根据权利要求5所述的单面抛光方法,其特征在于,应用于如权利要求2所述的单面抛光装置,包括:
利用所述抛光液提供管路以0.7-1.4l/min的流量向所述晶圆的表面提供抛光液。
7.根据权利要求5所述的单面抛光方法,其特征在于,应用于如权利要求4所述的单面抛光装置,包括:
利用所述第一冷却液提供管路向所述晶圆的侧面提供冷却液;
利用所述第二冷却液提供管路向所述晶圆的底面提供冷却液。
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