[发明专利]一种射频前端及其低噪声放大器在审
| 申请号： | 202011309591.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112468099A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 段连成;董铸祥;郑金汪;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 | 申请（专利权）人： | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/193;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 前端 及其 低噪声放大器 | ||
1.一种低噪声放大器，应用于射频前端，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一MOS管、第二MOS管、第一偏置支路、第二偏置支路、信号输入电路、信号输出电路、并联反馈回路和上拉电感，其中：
所述第一偏置支路与所述第一MOS管的栅极电连接，用于向所述第一MOS管的栅极提供直流偏置电压；
所述第二偏置支路与所述第二MOS管的栅极电连接，用于向所述第二MOS管的栅极提供直流偏置电压；
所述信号输入电路的一端与所述第一MOS管的栅极信号连接、另一端用于接收外部输入的待放大的射频信号；
所述第一MOS管的源极接地、漏极与所述第二MOS管的源极电连接；
所述并联反馈回路的一端与所述第二MOS管的漏极电连接、另一端与所述第一MOS管的栅极电连接；
所述上拉电感的一端与所述第二MOS管的漏极电连接、另一端用于接收驱动电压；
所述信号输出电路的一端与所述第二MOS管的漏极信号连接、另一端用于向后续电路输出放大后的射频信号。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述并联反馈回路包括串联连接的反馈电容和反馈电阻。
3.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一偏置支路包括第一电阻和第一电容，其中：
所述第一电阻的一端用于接收偏置电压、且与所述第一电容的一端电连接，所述第一电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极电连接；
所述第一电容的另一地接地。
4.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二偏置支路包括第三电容，其中：
所述第三电容的一端用于接收偏置电压、且与所述第二MOS管的栅极电连接，所述第三电容的另一端接地。
5.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述信号输出电路包括第四电容，其中：
所述第四电容的一端与所述第二MOS管的漏极信号连接、另一用于输出经过放大的射频信号。
6.一种射频前端电路，其特征在于，设置有如权利要求1～5任一项所述的低噪声放大器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京昂瑞微电子技术股份有限公司，未经北京昂瑞微电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011309591.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于增减材加工的柔性操作箱
- 下一篇：一种基于正交场的双向耦合电路
