[发明专利]一种基于正交场的双向耦合电路有效
| 申请号： | 202011309598.4 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112467330B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 彭文超;罗明;卢子焱;蔡雪芳;周义 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 陈法君 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 正交 双向 耦合 电路 | ||
1.一种基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述双向耦合电路包括主传输线(1)、耦合传输线(2)、耦合匹配(3)、匹配电阻(4)和金带(6)，
其中，所述主传输线(1)的两端分别接端1和端口2，所述主传输线(1)与耦合传输线(2)呈90°设置，
所述耦合传输线(2)的首端接端口3，所述耦合传输线(2)的末端经耦合匹配(3)与金带(6)相接，所述金带(6)跨过主传输线(1)并经耦合匹配(3)和匹配电阻(4)与介质基片上的接地焊盘(5)相接；
构成端口1到端口3、端口2到端口3的对称耦合电路。
2.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述金带(6)的数量和跨越主传输线(1)的弧度基于耦合度设计需求设置。
3.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述耦合匹配(3)为匹配电路，所述匹配电路被配置为通过调节匹配电路外形尺寸的大小和形状实现传输阻抗匹配。
4.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述匹配电阻(4)通过薄膜印制或者焊接封装接入电路。
5.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述接地焊盘(5)通过打金丝金带的形式接地或者通过金属化通孔的形式接地。
6.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述介质基片的材料为Rogers 5880、Rogers 4350或Al2O3陶瓷。
7.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述匹配电阻(4)为50欧姆电阻。
8.如权利要求1所述的基于正交场的双向耦合电路，其特征在于，所述主传输线(1)和耦合传输线(2)的传输线为微带线结构。
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