[发明专利]MOS工艺角SPICE模型参数获取方法

说明书

本发明公开了一种MOS工艺角SPICE模型参数获取方法，包括：根据MOS器件类型将选定工艺角上的参数拷贝到FNSP或SNFP中；将相关工艺参数和电容参数设定为FNSP或SNFP上相应的指定值；将选定工艺角上参数之外的其它参数乘以指定系数，获得FNSP或SNFP上的工艺角参数。本发明在工艺角参数里面引入模型参数电子通道长度偏差/电子通道宽度偏差的差值长度偏差值/宽度偏差值的概念，在不改变物理尺寸的前提下，修正器件的电学尺寸，从而改变器件的电学特性，实现快速提取FNSP/SNFP的工艺角模型。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于MOS工艺角SPICE模型参数获取方法。

背景技术

不同的晶片之间以及在不同的生产批次之间，金属-氧化物-半导体-场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内，主要以报废超出这个性能范围的芯片的措施来严格控制预期的参数变化。通常提供给设计师的MOS晶体管的性能范围只适用于数字电路并以“工艺角”(Process Corner)的形式给出。其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就落在快角附近。从晶片中提取与每一个角相对应的器件模型时，片上NMOS和PMOS的测试结构显示出不同的门延时，而这些角的实际选取是为了得到可接受的成品率。各种工艺角和极限温度条件下对电路进行仿真是决定成品率的基础，例如SS、TT、FF分别指的是左下角的corner，中心、右上角的corner。

现有的MOS传统工艺角可分为TT/FF/SS/FNSP/SNFP，先进工艺角可分为TTG/FFG/SSG/FSG/SFG/MC。现有的MOS传统工艺角SPICE模型提取时，是互不相干的，即各自提取各自的，每个工艺角模型需要提取自己的一套参数。对于先进工艺角SPICE模型的FNSP/SNFP目前还没有快速准确的提取方法，不利于先进工艺角SPICE模型的快速建模。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种用于SPICE模型能快速准确获得MOS工艺角参数的方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的MOS工艺角SPICE模型参数获取方法，包括以下步骤：

S1，根据MOS器件类型将选定工艺角上的参数拷贝到FNSP或SNFP中；

S2，将相关工艺参数和电容参数设定为FNSP或SNFP上相应的指定值；

S3，将选定工艺角上参数之外的其它参数乘以指定系数，获得FNSP或SNFP上的工艺角参数。

可选择的，进一步改进所述的MOS工艺角SPICE模型参数获取方法，对于NMOS，将其FF工艺角数参数直接拷贝到FNSP，将相关工艺参数和电容参数设为FNSP上的指定值，将其它参数乘以指定系数，得到FNSP上的工艺角参数。

可选择的，进一步改进所述的MOS工艺角SPICE模型参数获取方法，对于NMOS，将其SS工艺角数参数直接拷贝到SNFP，将相关工艺参数和电容参数设为SNFP上的指定值，将其它参数乘以指定系数，得到SNFP上的工艺角参数。