[发明专利]一种基于分子器件的高灵敏电场探测器

权利要求书

1.一种基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于，包括基底层、加热层、有机共轭聚合物材料层、有机分子、源极、漏极，所述加热层置于所述基底层上，所述有机共轭聚合物材料层置于所述加热层上，所述有机分子、所述源极、所述漏极置于所述有机共轭聚合物材料层上，所述有机分子置于所述有机共轭聚合物材料层的中部，所述有机分子延伸于所述源极和所述漏极之间。

2.如权利要求1所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述有机共轭聚合物材料层的材料为聚3-己基噻吩。

3.如权利要求2所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述有机分子为十二烷基硫醇、蒽硫醇、辛二硫醇。

4.如权利要求3所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述有机共轭聚合物材料层表面的中部设有凸起。

5.如权利要求4所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述凸起为弧形。

6.如权利要求1-5任一项所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述源极的材料为金或石墨烯。

7.如权利要求6所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述漏极的材料为金或石墨烯。

8.如权利要求7所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述基底层为隔热材料。

9.如权利要求8所述的基于分子器件的高灵敏电场探测器，其特征在于：所述有机共轭聚合物材料层的厚度小于100微米。