[发明专利]LED显示面板及其制备方法和LED显示装置

说明书

本发明提供了LED显示面板及其制作方法和LED显示装置。该LED显示面板包括：衬底基板；导电层设置在衬底基板的一侧；第一绝缘层设置在底基板的一侧，且覆盖导电层；第一栅极设置在第一绝缘层远离衬底基板的一侧；第二绝缘层设置在第一绝缘层远离衬底基板的一侧，且覆盖第一栅极；有源层设置在第二绝缘层远离衬底基板的一侧；第三绝缘层设置在第二绝缘层远离衬底基板的一侧，且覆盖有源层，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。可以有效屏蔽导电层产生的干扰电场，保证LED显示面板亮度显示均匀；该LED显示面板可以实现无边框设计。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及LED显示面板及其制备方法和LED显示装置。

背景技术

Micro-LED是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。

由于受制于LTPS技术和转印技术，LED大尺寸显示面板需小屏拼接而成。显示面板的周边如GOA信号线、VDD、VSS等走线需要占用面积面板边框，使拼接屏之间具有较大缝隙，影响观感。因此无边框拼接面板亟待开发。目前的无边框走线方案有侧边走线和背部走线两种，在背部走线方案中，Fanout无法避免的要经过LED像素电路，如此，Fanout的电信号会影响像素电路TFT，使之不受控的正偏或负偏，进而导致显示亮度不均。

因此，关于LED显示面板的研究有待深入。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种LED显示面板，LED显示面板可以实现无边框设计，或可以屏蔽导电层产生的干扰电场，保证LED显示面板的显示亮度均匀。

在本发明的一方面，本发明提供了一种LED显示面板。根据本发明的实施例，该LED显示面板包括：衬底基板；导电层，所述导电层设置在所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述底基板的一侧，且覆盖所述导电层；第一栅极，所述第一栅极设置在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层远离衬底基板的一侧，且覆盖所述第一栅极；有源层，所述有源层设置在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一栅极用于屏蔽所述导电层产生的干扰电场。由此，在不增加额外电容、走线的情况下，可以利用LED显示面板中TFT本身结构中的第一栅极产生的电场屏蔽导电层产生的干扰电场，进而有效保证LED显示面板亮度显示均匀；而且，该LED显示面板可以实现无边框设计，提高显示装置的观感。

根据本发明的实施例，LED显示面板还包括：第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述有源层；第二栅极，所述第二栅极设置在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且所述第二栅极通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一过孔与所述第一栅极电连接，其中，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的宽度大于所述第二栅极的宽度。

根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的单边宽度大于所述第二栅极的单边宽度。

根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的单边宽度与所述第二栅极的单边宽度的差值大于等于1.5微米。

根据本发明的实施例，在所述有源层的沟道中电子迁移的方向上，所述第一栅极的单边宽度比所述第二栅极的单边宽度的差值小于等于5微米。

根据本发明的实施例，所述LED显示面板还包括：存储电容的第一电极板和第二电极板，其中，所述第一电极板与所述第一栅极同层设置，所述第二电极板与所述第二栅极同层设置。