[发明专利]发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种发光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底基板；

于所述衬底基板上生长一第一半导体层；

于所述第一半导体层上生长一发光单元；其中，所述发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，所述含铟插入层夹设于所述含铟量子阱层和所述量子垒层之间，且生长的所述含铟插入层中铟元素的含量大于生长的所述含铟量子阱层中铟元素的含量；所述含铟量子阱层包括氮化铟镓层，所述含铟插入层包括氮化铝铟层；控制所述氮化铟镓层于一生长压力下生长；降低该生长压力以使当前生长压力符合所述氮化铝铟层的生长要求，并控制所述氮化铝铟层在经调整后的生长压力下生长；完成所述氮化铝铟层的生长后，再次调整当前生长压力以符合所述量子垒层的生长要求；控制所述量子垒层于再次调整后的生长压力下生长；

周期性重复所述发光单元的制作步骤以形成一发光层；

于所述发光层上制作一第二半导体层。

2.如权利要求1中所述的发光器件制备方法，其特征在于，还包括：

响应于经调整后的生长压力符合所述氮化铝铟层的要求，则控制经调整后的生长压力在一预设时间保持稳定。

3.如权利要求1或2所述的发光器件制备方法，其特征在于，所述氮化铟镓层的生长压力大于350毫巴，所述氮化铝铟层的生长压力小于100毫巴，所述量子垒层的生长压力大于350毫巴。