[发明专利]单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器在审
| 申请号： | 202011312361.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420097A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 薛晓勇;赵晨阳;方晋北;陈德扬;杨何勇;张洵铭 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单字 自旋 轨道 磁性 随机 存储器 | ||
1.一种单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，其存储单元包括一个重金属导电层、一个磁阻元件、一个NMOS管和一个PMOS管；其中，所述NMOS管第一端与写位线相连；所述NMOS管第二端与所述重金属导电层第一端相连；所述NMOS管控制端与字线相连；所述重金属导电层第二端与源线相连；所述磁阻元件第一端与所述PMOS管第一端相连；所述磁阻元件第二端邻接到所述重金属导电层第一端与第二端之间的中间位置；所述PMOS管第二端与读位线相连；所述PMOS管控制端与字线相连。
2.如权利要求1所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述重金属导电层材质是铂、钽、金、钨或钯。
3.如权利要求1所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述磁阻元件由三层组成，第一层是磁化方向固定的磁性材料层，第二层是非磁性材料层，第三层是磁化方向可变的磁性材料层；所述磁阻元件磁化方向固定的磁性材料层作为磁阻元件的第一端，其磁化方向可变的磁性材料层作为磁阻元件的第二端邻接在重金属导电层第一端与第二端的中间位置。
4.如权利要求1所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述NMOS管用于控制存储单元写入通路的导通或关闭。
5.如权利要求1所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述PMOS管用于控制存储单元读取通路的导通或关闭。
6.一种单字线的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，其存储单元包括一个重金属导电层、一个磁阻元件、一个NMOS管和一个PMOS管；其中，所述PMOS管第一端与写位线相连；所述PMOS管第二端与所述重金属导电层第一端相连；所述PMOS管控制端与字线相连；所述重金属导电层第二端与源线相连；所述磁阻元件第一端与NMOS管第一端相连；所述磁阻元件第二端邻接到所述重金属导电层第一端与第二端之间的中间位置；所述NMOS管第二端与读位线相连；所述NMOS管控制端与字线相连。
7.如权利要求6所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述重金属导电层材质是铂、钽、金、钨或钯。
8.如权利要求6所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述磁阻元件由三层组成，第一层是磁化方向固定的磁性材料层，第二层是非磁性材料层，第三层是磁化方向可变的磁性材料层；所述磁阻元件磁化方向固定的磁性材料层作为磁阻元件的第一端，其磁化方向可变的磁性材料层作为磁阻元件的第二端邻接在重金属导电层第一端与第二端的中间位置。
9.如权利要求6所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述NMOS管用于控制存储单元写入通路的导通或关闭。
10.如权利要求6所述的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，所述PMOS管用于控制存储单元读取通路的导通或关闭。
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