[发明专利]一种具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构在审
| 申请号： | 202011312632.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112563230A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦炜;王勇;张兴稳;孙彪 | 申请（专利权）人： | 扬州船用电子仪器研究所（中国船舶重工集团公司第七二三研究所） |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/552;H01L23/66;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 封睿 |
| 地址： | 225001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高频 功能 bga 陶瓷封装 结构 | ||
1.一种具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，包括盖板（1）、芯片组合（3）、陶瓷主体（4）、BGA植球（5）、母板（6）、测试接头（7），其中陶瓷主体（4）上设置腔体，所述腔体互相隔离，其内设置芯片组合（3）；所述陶瓷主体（4）顶部设置盖板（1）实现芯片封装；所述陶瓷主体（4）底部设置母板（6），所述母板（6）与陶瓷主体（4）底部通过BGA植球（5连接，母板（6）侧面设置测试接头（7）。
2.根据权利要求1所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述BGA植球（5）采用0.3~0.76mm直径的焊球。
3.根据权利要求1所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述BGA植球（5）采用0.5mm直径的焊球。
4.根据权利要求1或2或3所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述BGA植球（5）采用锡铅或者无铅的锡银铜混合材料。
5.根据权利要求1所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷主体（4）采用HTCC材料。
6.根据权利要求1或5所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷主体（4）采用类同轴结构，以陶瓷为介质，以圆形阵列排布的通孔作为屏蔽层，以圆心位置的通孔作为信号导体，从陶瓷腔体内部直接垂直传到陶瓷底部。
7.根据权利要求1或5所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述母板（6）采用共面波导结构或者带线结构，其中共面波导结构是中间导线传输信号，两侧接地平面图形作为屏蔽层的平面三明治结构，所述带线结构是中间导线传输信号，上下两侧地的立体三明治结构。
8.根据权利要求1所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，在微波毫米波频段这些应用场合，所述BGA陶瓷封装结构加设围框（2），所述围框（2）内部结构与陶瓷主体（4）的腔体一致，设置在陶瓷主体（4）与盖板（1）之间，用于为芯片组合（3）提供空间余量。
9.根据权利要求8所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，其特征在于，所述围框（2）的高度为陶瓷主体（4）腔体深度的2倍，所述腔体深度为2~3mm。
10.一种封装方法，其特征在于，基于权利要求1-9任一项所述的具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构进行封装。
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