[发明专利]一种基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法

权利要求书

1.一种基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、搭建用于产生短路电流的硬件模块，并提取短路电流信号；

S2、采用压缩感知方法处理提取到的短路电流信号，得到压缩数据；

S3、采用数字信号处理方法还原压缩数据，获取与短路电流信号相对应的数字信号；

S4、获取并根据数字信号中的峰值获取IGBT结温数据，完成基于短路电流的低采样率IGBT结温估算。

2.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，所述步骤S1中用于产生短路电流的硬件模块包括待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT；所述待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT的C极分别与待测IGBT的E极相连接，所述待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT的E极均接地；所述旁路IGBT的G极与外部驱动相连接；所述旁路IGBT的C极和E极为短路电流信号的提取点。

3.根据权利要求2所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，所述外部驱动包括型号为1ED020I12-F的芯片，型号为1ED020I12-F的芯片的VCC1引脚分别连接电阻R1的一端、电容C4的一端、电容C3的一端、电阻R2的一端和5V电源；型号为1ED020I12-F的芯片的RST引脚连接电阻R2的另一端和电容C4的另一端；型号为1ED020I12-F的芯片的FLT引脚连接电阻R1的另一端；型号为1ED020I12-F的芯片的IN-引脚分别连接型号为1ED020I12-F的芯片的GND1引脚和电容C3的另一端并接地；型号为1ED020I12-F的芯片的VCC2引脚分别连接二极管D1的负极和电容C2的一端；二极管D1的正极连接15V电源；型号为1ED020I12-F的芯片的Desat引脚分别连接电阻R2的一端和电容C1的一端；型号为1ED020I12-F的芯片的out引脚通过电阻RG分别连接型号为1ED020I12-F的芯片的clamp引脚、二极管D6的正极和旁路IGBT的G极；型号为1ED020I12-F的芯片的GND2引脚分别连接型号为1ED020I12-F的芯片的VEE2引脚、电容C2的另一端、电容C1的另一端和旁路IGBT的E极；旁路IGBT的C极连接二极管D3的负极，二极管D3的正极连接二极管D4的负极，二极管D4的正极分别连接二极管D2的负极和二极管D5的负极，二极管D5的正极连接二极管D6的负极，二极管D2的正极连接电阻R2的另一端。

4.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，所述步骤S1中提取短路电流信号的具体方法为：

采用PEM罗氏线圈来提取短路电流信号。

5.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，所述步骤S2的具体方法为：

根据短路电流信号的稀疏特性，将时域下的短路电流信号变换到频域下，得到压缩数据。

6.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法，其特征在于，所述步骤S4中根据数字信号中的峰值获取IGBT结温数据的具体方法为：

根据公式：

I＝0.3453T+211.48

获取IGBT结温数据T；其中I为数字信号中的峰值。