[发明专利]一种MOCVD设备用石墨盘的清洗方法

权利要求书

1.一种MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在密闭环境下，对石墨盘进行氧化处理，直至石墨盘上的沉积物充分氧化，氧化处理的温度控制在50℃~300℃间且密闭环境中通入空气或氧气或氧等离子体对石墨盘进行氧化；

2）利用第一洗液对经步骤1）后的石墨盘进行加热浸泡，去除包含砷元素的沉积物，所述第一洗液是由氨水、双氧水与水按照质量比1:1:1-1:10:1的比例混合而成，处理温度控制在40-80℃间；

3）利用第二洗液对石墨盘进行加热浸泡，去除包含锑元素的沉积物，所述第二洗液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，其浓度控制在1%~50%间，处理温度控制在50℃~100℃间；

4）利用第三洗液对石墨盘进行浸泡去除残留的金属，所述第三洗液为盐酸溶液，其浓度控制在1%~25%间，浸泡结束后，用去离子水对石墨盘进行冲洗干净；

5）对石墨盘进行烘烤以去除残留的挥发物，而后自然降温冷却，真空封存。

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，步骤2）中加热浸泡时间控制在30min~60min间。

3.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，步骤3）中加热浸泡时间控制在30min~60min间。

4.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，步骤4）中的浸泡温度控制在0℃~25℃之间。

5.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，在步骤2）、3）浸泡处理后，均采用去离子水进行冲洗30min~180min。

6.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，步骤5）中采用低压变温烘烤的方式以去除残留的挥发物，烘烤过程中，压力控制在50~950mbar，一段温度为100℃~200℃；二段温度为200℃~400℃；三段温度为400℃~600℃；四段温度为600℃~800℃，在每段温度下烘烤60~300min。

7.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，步骤5）中，烘烤时，通入惰性气体保护，所述惰性气体包括但不限于氮气和氦气。

8.根据权利要求1所述的MOCVD设备用石墨盘的清洗方法，其特征在于，在步骤3）与步骤4）之间，重复进行步骤2）、3）操作。