[发明专利]基于Al/PVDF油墨的含能半导体桥及其制备方法

权利要求书

1.基于Al/PVDF油墨的含能半导体桥的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在70～80℃下将PVDF溶于N-甲基吡咯烷酮中，配置成浓度为0.1～2.0mol/L的PVDF溶液；

步骤2，按纳米铝粉与PVDF的质量比为1:1～1.5:1，先采用超声混合，再采用磁力机械搅拌的方式将纳米铝粉均匀分散到PVDF溶液中，获得Al/PVDF油墨；

步骤3，采用微笔直写的方式，将Al/PVDF油墨集成到半导体桥芯片上，然后将半导体桥烘干，依次循环集成和烘干步骤，待油墨全部集成完毕后再将半导体桥烘干，最终在半导体桥芯片表面集成Al/PVDF薄膜，得到基于Al/PVDF油墨的含能半导体桥。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的纳米铝粉活性为60％～75％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的超声混合时间为1～3h，磁力机械搅拌时间为12～36h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，微笔直写次数为2～5次。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，每次集成后的烘干温度为50℃，烘干时间为20～40min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，油墨全部集成完毕后的烘干温度为50℃，烘干时间为2～6h。