[发明专利]一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片在审
| 申请号： | 202011314754.6 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114520278A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张剑桥;肖桂明;陆前军 | 申请（专利权）人： | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 量子 图形 衬底 制备 方法 led 外延 | ||
1.一种掺杂量子点的图形化衬底制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；
对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点，包括：
在异质材料中掺杂量子点；
将掺杂有所述量子点的异质材料沉积在所述衬底基板上，形成异质层。
3.根据权利要求1所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点，包括：
将异质材料沉积在所述衬底基板上，同时向沉积气体中动态注入量子点，形成所述异质层。
4.根据权利要求2或3所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成一层异质层，包括：
采用物理气相沉积或气溶胶喷射工艺在所述衬底基板上沉积形成一层异质层。
5.一种掺杂量子点的图形化衬底，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的掺杂量子点的图形化衬底制备方法制成，所述掺杂量子点的图形化衬底包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有量子点。
6.根据权利要求5所述的图形化衬底，其特征在于，所述量子点的掺杂比例为0.5％-20％。
7.根据权利要求5所述的图形化衬底，其特征在于，所述量子点的材料包括II-VI族元素和III-V族元素中的至少一种半导体材料。
8.根据权利要求5所述的图形化衬底制备方法，其特征在于，所述异质微结构的形状包括多边形锥体、圆锥体、椭圆形锥体、圆柱和圆台。
9.根据权利要求5所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质微结构的异质材料包括透明的氧化物、氮化物、单质中的至少一种。
10.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求5-9任一项所述的掺杂量子点的图形化衬底。
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