[发明专利]一种稀土离子掺杂的新型钙钛矿太阳能电池有效
申请号: | 202011315986.3 | 申请日: | 2020-11-22 |
公开(公告)号: | CN112436091B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 陈聪;商雪妮;郑士建;孟凡斌;张炜 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人: | 张颖颢 |
地址: | 300401 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 离子 掺杂 新型 钙钛矿 太阳能电池 | ||
1.一种基于稀土离子掺杂的Cs2AgBiBr6基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,由上而下依次为金电极、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层及ITO导电玻璃;所述钙钛矿光吸收层掺杂稀土元素金属离子;
所述基于稀土离子掺杂的新型Cs2AgBiBr6基钙钛矿太阳能电池的制备方法具体步骤如下:
(1)清洗ITO导电玻璃:
将ITO导电玻璃分别用玻璃清洗剂、去离子水和乙醇超声15-25min,然后在烘箱中干燥,最后在紫外-臭氧里面处理15-30min;ITO导电玻璃平均透光率为85-95%;
(2)制备电子传输层:
在臭氧处理后的ITO导电玻璃上旋涂二氧化锡,体积比SnO2:水=1:1-6,转速为3000-5000rpm,形成30-50nm的电子传输层,并于100-200℃退火30-60分钟,所得结构为ITO/SnO2;
(3)制备钙钛矿光吸收层:
在ITO/SnO2基底上,通过真空闪蒸的方法制备厚度为400nm 1%Ce3+-Cs2AgBiBr6钙钛矿吸收层,钙钛矿溶液浓度控制在0.1-0.5mol/L,当真空度在10Pa,保压20s;将其在加热台上退火,温度控制在250℃,时间控制在5min,器件的结构为ITO/SnO2/Cs2AgBiBr6;
所述1%Ce3+-Cs2AgBiBr6钙钛矿吸收层的制备方法为:称取Ce3+的乙酸盐、CsBr、AgBr和BiBr3溶解到10mL氢溴酸中,使得到掺杂Ce3+的Cs2AgBiBr6钙钛矿溶液浓度0.5-1mol/L,其中Ce3+的乙酸盐与溴化铋的摩尔浓度比为0.01-0.2:1,在100-150℃温度溶解,以5-10℃/min降到80℃,再以8-15℃/min降到室温25℃-30℃,室温获得掺杂Ce3+的Cs2AgBiBr6钙钛矿块状晶体,干燥后将块状样品存于样品瓶中;
(4)制备空穴传输层:
将提前配置好并放置1-3天的Spiro-OMeTAD空穴传输层溶液旋涂钙钛矿光吸收层表面,转速控制为2000-4500rpm,厚度控制为100-300nm;器件的结构为ITO/SnO2/掺杂稀土Cs2AgBiBr6/Spiro-OMeTAD;
(5)制备金电极:
将步骤(4)得到的器件放到镀膜仪中,真空度达到10-4-10-5Pa后,将电极加热电流调为100-160A,以0.05-0.2nm/s的蒸发速度沉积70-120nm厚的Au电极,完整钙钛矿太阳能电池器件的制备;器件的结构为ITO/SnO2/掺杂稀土Cs2AgBiBr6/Spiro-OMeTAD/Au。
2.如权利要求书1所述的一种基于稀土离子掺杂的Cs2AgBiBr6基钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述的金电极厚度在50-90nm,空穴传输层的厚度为200-400nm、钙钛矿光吸收层的厚度为400-600nm、电子传输层的厚度为30-50nm、ITO导电玻璃衬底的厚度为400-800nm。
3.如权利要求1所述的一种基于稀土离子掺杂的Cs2AgBiBr6钙钛矿太阳能电池方法,其特征在于,步骤(4)预先配置的Spiro-OMeTAD空穴传输层溶液,溶液制备过程具体如下:首先称量70-110mg的Spiro-OMeTAD粉末,放入2-5mL试剂瓶中,并加入20-50uL 4-叔丁基吡啶溶液,再加入5-60uL溶有双三氟甲烷磺酰亚胺锂的乙腈溶液,其中双三氟甲烷磺酰亚胺锂的乙腈溶液的浓度为4-6g/L,最后在2-5mL试剂瓶中加入1-2mL的氯苯溶液,将上述粉末溶解溶液混合均匀,获得空穴传输层前驱体溶液。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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