[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池在审
申请号: | 202011316478.7 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112825336A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | W·克斯特勒;A·弗雷 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 太阳能电池 | ||
1.一种堆叠状的多结太阳能电池(1),所述堆叠状的多结太阳能电池具有背侧接通的正侧,所述堆叠状的多结太阳能电池具有
太阳能电池堆叠(10),所述太阳能电池堆叠具有正侧(10.1)、背侧(10.2)和敷镀贯通开口(12),所述敷镀贯通开口从所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)延伸直至所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2);
正侧连接接通部(26)、背侧连接接通部(34)、介电的隔离层(30)以及接通层(32);其中,
所述太阳能电池堆叠(10)按顺序地彼此相继地具有锗衬底层(14)、锗子电池(16)和至少两个III-V族子电池(18,20),所述锗衬底层构成所述背侧(10.2);
所述敷镀贯通开口(12)具有连贯的侧面和椭圆形横截面的外周;
所述正侧连接接通部(26)布置在所述太阳能电池堆叠(10)的所述正侧(10.1)上,并且与所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)材料锁合地且导电地连接;
所述介电的隔离层(30)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)的未被所述正侧连接接通部(26)覆盖的区域、所述正侧连接接通部(26)的上侧的边缘区域、所述敷镀贯通开口(12)的侧面(12.1)以及所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)的与所述敷镀贯通开口(12)邻接的区域;
所述接通层(32)从所述正侧连接接通部(26)的上侧的未被所述介电的隔离层(30)覆盖的区域在所述介电的隔离层(30)上延伸通过所述敷镀贯通开口(12)直至所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2),并且与所述正侧连接接通部(26)的上侧材料锁合地且导电地连接,并且与所述介电的隔离层(30)材料锁合地连接;
所述背侧连接接通部(34)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)的未被所述介电的隔离层(30)覆盖的区域,并且与所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)材料锁合地且导电地连接。
2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述介电的隔离层(30)构造为抗反射层。
3.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池具有布置在所述介电的隔离层(30)与所述太阳能电池堆叠(10)之间的抗反射层(28),其中,所述抗反射层(28)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)的未被所述正侧连接接通部(26)覆盖的区域。
4.根据权利要求3所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(28)覆盖所述正侧连接接通部(26)的上侧的边缘区域。
5.根据权利要求3或4所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(28)是导电的。
6.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述介电的隔离层(30)具有TiO和/或MgF2和/或Al2O3和/或SiO2和/或Si3N4和/或Ta2O5和/或ZrO2。
7.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述正侧连接接通部具有高掺杂的半导体接通层(26.1)和金属层(26.2),所述高掺杂的半导体层与所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)材料锁合地连接,所述金属层与所述半导体接通层(26.1)材料锁合地连接。
8.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述III-V族子电池(18,20)具有5至15μm的共同的层厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的