[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202011316478.7 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112825336A 公开(公告)日: 2021-05-21
发明(设计)人: W·克斯特勒;A·弗雷 申请(专利权)人: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0687
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国海*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种堆叠状的多结太阳能电池(1),所述堆叠状的多结太阳能电池具有背侧接通的正侧,所述堆叠状的多结太阳能电池具有

太阳能电池堆叠(10),所述太阳能电池堆叠具有正侧(10.1)、背侧(10.2)和敷镀贯通开口(12),所述敷镀贯通开口从所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)延伸直至所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2);

正侧连接接通部(26)、背侧连接接通部(34)、介电的隔离层(30)以及接通层(32);其中,

所述太阳能电池堆叠(10)按顺序地彼此相继地具有锗衬底层(14)、锗子电池(16)和至少两个III-V族子电池(18,20),所述锗衬底层构成所述背侧(10.2);

所述敷镀贯通开口(12)具有连贯的侧面和椭圆形横截面的外周;

所述正侧连接接通部(26)布置在所述太阳能电池堆叠(10)的所述正侧(10.1)上,并且与所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)材料锁合地且导电地连接;

所述介电的隔离层(30)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)的未被所述正侧连接接通部(26)覆盖的区域、所述正侧连接接通部(26)的上侧的边缘区域、所述敷镀贯通开口(12)的侧面(12.1)以及所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)的与所述敷镀贯通开口(12)邻接的区域;

所述接通层(32)从所述正侧连接接通部(26)的上侧的未被所述介电的隔离层(30)覆盖的区域在所述介电的隔离层(30)上延伸通过所述敷镀贯通开口(12)直至所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2),并且与所述正侧连接接通部(26)的上侧材料锁合地且导电地连接,并且与所述介电的隔离层(30)材料锁合地连接;

所述背侧连接接通部(34)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)的未被所述介电的隔离层(30)覆盖的区域,并且与所述太阳能电池堆叠(10)的背侧(10.2)材料锁合地且导电地连接。

2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述介电的隔离层(30)构造为抗反射层。

3.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述多结太阳能电池具有布置在所述介电的隔离层(30)与所述太阳能电池堆叠(10)之间的抗反射层(28),其中,所述抗反射层(28)覆盖所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)的未被所述正侧连接接通部(26)覆盖的区域。

4.根据权利要求3所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(28)覆盖所述正侧连接接通部(26)的上侧的边缘区域。

5.根据权利要求3或4所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(28)是导电的。

6.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述介电的隔离层(30)具有TiO和/或MgF2和/或Al2O3和/或SiO2和/或Si3N4和/或Ta2O5和/或ZrO2

7.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池,其特征在于,所述正侧连接接通部具有高掺杂的半导体接通层(26.1)和金属层(26.2),所述高掺杂的半导体层与所述太阳能电池堆叠(10)的正侧(10.1)材料锁合地连接,所述金属层与所述半导体接通层(26.1)材料锁合地连接。

8.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述III-V族子电池(18,20)具有5至15μm的共同的层厚度。

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