[发明专利]一种光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202011316694.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420467A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;李芬;田宏;朱虹;王国建;赵恒邦;李云;王小霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
1.一种光电阴极，包括：光电阴极基体，锑碱金属化合物，其中，
所述光电阴极基体的表面为经过离子束轰击表面改性处理后的；
所述锑碱金属化合物，制备在所述光电阴极基体的表面上。
2.根据权利要求1所述的光电阴极，其中，所述光电阴极基体的材料包括以下之一：镍、镍合金、铜或铜合金。
3.根据权利要求1所述的光电阴极，其中，所述锑碱金属化合物包括以下之一：锑化铯、锑化钠、锑化钾或碱金属混合锑化物，所述碱金属混合锑化物包括：锑化钠钾、锑化钠铯、锑化钠钾铯。
4.一种如权利要求1～3任一项所述的光电阴极的制备方法，包括：
在光电阴极基体表面实施离子束轰击表面改性处理，得到离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体；
利用第一加热体将所述离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体加热至预设温度；
利用第二加热体加热锑源使锑蒸汽蒸发至所述离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，形成锑膜；
利用第二加热体加热碱金属源，使碱金属蒸汽蒸发至所述离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，与所述锑膜发生反应，生成锑碱金属化合物，完成光电阴极的制备。
5.根据权利要求4所述的光电阴极的制备方法，其中，所述离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面呈现织构的形貌。
6.根据权利要求5所述的光电阴极的制备方法，其中，所述织构的毛刺顶端的直径为10nm～100nm，所述织构的毛刺的高度为10nm～10000nm。
7.根据权利要求4所述的光电阴极的制备方法，其中，所述锑膜的厚度为200nm～500nm。
8.根据权利要求4所述的光电阴极的制备方法，其中，所述碱金属源包括以下至少之一：铯、钠、钾。
9.根据权利要求4所述的光电阴极的制备方法，其中，所述第一加热体和所述第二加热体的材料均包括以下之一：钨、钼或钨铼合金。
10.根据权利要求4所述的光电阴极的制备方法，其中，所述碱金属蒸汽与所述锑膜发生反应的温度为120℃～180℃。
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