[发明专利]一种片式电容器的制备方法

权利要求书

1.一种片式电容器的制备方法，包括预置模块和制备片式电容器单体，所述预置模块是一种设有插槽能将多片电容器单体并联连接且即插即用任意调整电容容量的装置，根据需要将多片电容器单体插入预置模块中构成所述片式电容器，其特征在于，所述制备片式电容器单体的方法包括：

一．电容器主体介质材料的制备：

（1）将粒径在100-1000nm的陶瓷粉料倒入圆形模具中通过热压烧结形成“晶圆级”陶瓷胚片，压力≥120MPa，烧结温度900-1500℃，烧结时间2-6h；

（2）将于1400-1600℃温度下熔融的玻璃液倒入圆形模具中通过急冷压延形成“晶圆级”玻璃胚片，然后在900-1100℃温度下退火热处理1-8h；

（3）对获得的陶瓷胚片或玻璃胚片进行双面研磨至预定厚度后再进行双面光学级抛光，获得基体介质片；

二．表面电极的制备：

（1）在所述基体介质片上旋涂光刻胶，然后按圆形电极图案在光刻机下进行曝光并显影去除多余的光刻胶，将完成曝光显影的基体介质片采用电子束蒸发或磁控溅射技术进行金属电极的沉积，沉积厚度500-5000nm，电极材料为Ag、Au、Al、Cu、Ni、W、Pt、Ti中的一种或几种组合；

（2）将完成金属电极沉积的基体介质片使用去胶液对表面的光刻胶进行清洗，清洗掉表面残留的光刻胶及上面沉积的电极材料；

（3）所述基体介质片双面都做上述处理；

三．采用等离子体气相沉积或原子层沉积技术分别在经过上述步骤后得到的介质片上下两表面沉积钝化层，钝化层材料为SiO₂、Si₃N₄、SiON、Al₂O₃、ZrO₂、Y₂O₃、TiO₂或Ta₂O₅，钝化层沉积厚度选择100-2000nm；

四．电接触窗口的制作：

运用光刻技术在上述经过沉积钝化层后的介质片的上下两面钝化层上刻蚀出设定的电极图案。