[发明专利]电解电容器的制造方法有效
申请号: | 202011317660.4 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112490004B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 钟山;邓俊涛;胡鹏;王鹏飞;蔡大俊;刘一峰;田超;曾庆雨;张大省 | 申请(专利权)人: | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) |
主分类号: | H01G9/048 | 分类号: | H01G9/048;H01G9/042;H01G9/00;H01G13/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 钟扬飞 |
地址: | 550000 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电解电容器 制造 方法 | ||
本申请公开了一种电解电容器的制造方法,涉及电容器的技术领域,本申请的电解电容器的制造方法包括:将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体;在所述阳极多孔烧结体的表面上形成介质氧化膜;在所述介质氧化膜上形成二氧化锰层;在所述二氧化锰层上涂敷石墨层;在所述石墨层上涂敷银浆层;将银浆层与引线框架粘接,形成中间产物;将钽丝焊接在所述中间产物的正极端上;在中间产物的表面上形成镍金属层;通过模压封装形成电解电容器故本申请能够大幅提升电解电容器耐外界环境应力的能力,具有性能稳定,抗击穿能力强的优点。
技术领域
本申请涉及电容器的技术领域,具体而言,涉及一种电解电容器的制造方法。
背景技术
片式钽电容器是固体钽电容器的一种,属于通用元件,是当前航天器型号使用历史最悠久的电容器品种之一,该类产品为片式结构、塑封封装,具有体积小、重量轻、电压高、容量大、漏电流小、等效串联电阻低、温度和频率特性好、可靠性高等特点,不仅在常规条件下比铝、陶瓷、薄膜等电容器体积小、容量大、可靠性和稳定性高,而且能在许多其它电容器不能胜任的严酷环境条件下正常工作,但随着使用数量越来越多,在复杂的应用环境下,片式钽电容器开始出现失效,通过分析得到,片式钽电容器采用环氧树脂作为封装材料,但受到模压材料自身结构特点的限制,环氧树脂固化以后形成的模压封装层并不是完全密封的,在生产制造、筛选以及使用过程中不可避免会吸附潮气,当用户安装使用后,内部水汽分子中的杂质离子将与阳极钽芯氧化膜缺陷部位连通,从而形成阴极二氧化锰与阳极钽芯间的漏电通道。
从本质上说模压塑料封装是一种半气密性封装,环氧树脂是高分子材料,其固化后形成三维聚合物分子间距为50—200nm,这种间距足以让水分子渗透过去。片式钽电容器可以达到的饱和吸水率与材料和存储环境有关。存储环境湿度越高,片式钽电容器饱和时可以达到的饱和吸水率也越高。经过试验测定片式钽电容器模压料在正常存储条件下的固有饱和表面吸附含水量约0.14%—0.17%。
另外,由于片式钽电容器本身结构决定,水汽除了从模压塑封层的微孔中渗入外,还会通过引出焊片与塑封层接触部位的缝隙进入,水汽浓度梯度向树脂内部扩散,一般情况会表现为产品BDV(Breakdown Voltage,击穿电压)值的大幅下降,降幅最高可达额定电压的150%,在对钽电容器施加电压时,其耐压能力不足导致介质氧化膜雪崩式受损劣化,最终表现为击穿失效。
发明内容
本申请的目的在于提供一种电解电容器的制造方法,其能够在封装前的钽芯表面形成一层稳定性好、扩散活性低的镍金属层,该产品具有较强的抗环境应力能力。其采取的技术方案如下:
本申请的实施例是这样实现的:
一种电解电容器的制造方法,包括:将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体;在所述阳极多孔烧结体的表面上形成介质氧化膜;在所述介质氧化膜上形成二氧化锰层;在所述二氧化锰层上涂敷石墨层;在所述石墨层上涂敷银浆层;将银浆层与引线框架粘接,形成中间产物;将钽丝焊接在所述中间产物的正极端上;在中间产物的表面上形成镍金属层;通过模压封装形成电解电容器。
于一实施例中,所述在中间产物的表面上形成镍金属层包括:配制电镀液,将所述电镀液进行水浴,并通过空气搅拌装置搅拌;将电镀液置于电镀设备中;将所述阳极多孔烧结体浸入所述电镀设备的所述电镀液中,进行电镀形成镍金属层;将形成镍金属层的所述中间产物进行清洗和干燥处理。
于一实施例中,所述电镀液包括氨基磺酸镍浓缩液、氯化镍、硼酸和添加剂。
于一实施例中,所述氨基磺酸镍浓缩液浓度为300g/L—450g/L,所述氯化镍浓度为5g/L—15g/L,所述硼酸浓度为40g/L—45g/L。
于一实施例中,所述添加剂为包括吡啶类、丙炔醇和丙炔胺衍生物的光亮剂。
于一实施例中,所述阀金属粉料的比容为1000—150000μF/g。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂),未经中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011317660.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。