[发明专利]一种消落带面源污染防控人工湿地系统

权利要求书

1.一种消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：自下而上包括防渗夯实层、吸附填料层、底泥种植层、水流分布调节组件；

所述防渗夯实层位于湿地最底部，通过将底部泥土夯实得到；

所述吸附填料层位于防渗夯实层上方，由具有较大比表面积的无机填料组成，所述吸附填料层中添加有厌氧微生物，所述吸附填料层中埋设有供氧管路，以提供厌氧微生物代谢所需要的氧气，防渗夯实层上部、吸附填料层底部设置若干出水管；

所述底泥种植层包括底泥层，底泥层下部铺设分离筛网；

所述水流分布调控组件用于控制水体流速，使水流均匀分布且增加在湿地的停留时间；

所述厌氧微生物为厌氧氨氧化微生物或反硝化微生物；

所述水流分布调控组件包括挡流板、溢流堰以及模块化植物组件；

所述溢流堰位于出水侧，由夯实的土壤或绿化混凝土组成；

所述挡流板位于湿地中间，由相互间隔的两块挡板组成，一侧连接进水端，另一侧连接溢流堰，面源污染来水的进水口位于两挡板中间，所述挡流板上部与溢流堰平齐，下部中空距离底泥种植层上部一定距离；

所述模块化植物组件为底泥层上模块化种植适合于消落带地区的耐水淹植物。

2.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述吸附填料层厚度为5cm-30cm。

3.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述出水管上设置有阀门，以根据入水情况调节出水流量。

4.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述底泥层厚度为20cm-30cm。

5.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述耐水淹植物包括美人蕉、黄昌蒲、水葱、茭白、藕中的一种或几种的混合。

6.如权利要求5所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述挡流板的两块挡板相距30cm-50cm，挡流板下部距离底泥种植层上部3cm-5cm。

7.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述溢流堰顶部种植耐水淹植物。

8.如权利要求1所述的消落带面源污染防控人工湿地系统，其特征在于：所述溢流堰外侧底部，即下层湿地上端设置防溅集水槽，所述防溅集水槽用以避免溅射和收集溢流来水。