[发明专利]一种等离子体处理装置及处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

承载部件，用于承载晶圆；

第一喷头，位于所述承载部件的上方，用于向所述晶圆喷洒等离子体气流；

第二喷头，用于从所述第一喷头的周围朝向所述等离子体气流的外围喷洒惰性气体。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述惰性气体包括氩气或氮气。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二喷头的数量为两个以上。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

两个以上所述第二喷头相对于所述第一喷头的中心轴对称分布。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

反应腔，所述承载部件、所述第一喷头和所述第二喷头位于所述反应腔内；

所述第二喷头位于所述第一喷头的上方，且与所述第一喷头之间存在第一间隙；所述第一喷头与所述反应腔的侧壁之间存在第二间隙；所述第一喷头与所述承载部件之间存在第三间隙；所述第一间隙通过所述第二间隙与所述第三间隙连通。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

流量控制部件，所述流量控制部件用于控制所述第二喷头喷洒惰性气体的流量。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

气体供应管，所述气体供应管位于所述第一喷头的上方，与所述第一喷头相连接；所述第二喷头设置在所述气体供应管的外周。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二喷头的下端面朝向所述第一喷头的上端面。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

与所述第一喷头同侧设置的上电极和与所述承载部件同侧设置的下电极；

所述第一喷头具体用于喷洒处理气体，并且基于所述上电极和所述下电极之间的电场作用将所述处理气体激发成等离子体，以实现向所述晶圆喷洒等离子体气流。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

反应腔，所述承载部件、所述第一喷头和所述第二喷头位于所述反应腔内；

所述第二喷头的下端面位于所述第一喷头的外周。

11.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

将待处理的晶圆放置在承载部件上；

通过位于所述承载部件上方的第一喷头向所述晶圆喷洒等离子体气流；

通过第二喷头从所述第一喷头的周围朝向所述等离子体气流的外围喷洒惰性气体。